Флэш память что это такое

Технология флеш-памяти 3D NAND / OCZ Storage Solutions corporate blog / Habr

Всем привет! Как вы знаете, современная планарная флеш-память NAND почти исчерпала свой потенциал. Основной её проблемой является то, что уменьшать размеры кристалла становится все труднее. По прогнозам экспертов, 14-15 нм технологические нормы станут пределом планарной флеш-памяти, по крайней мере на ближайшее время. А на смену ей придет технология «вертикальной» флеш-памяти – 3D NAND.

Очень важно понимать, что же мешает дальнейшему уменьшению размеров кристалла. Прежде всего, для освоения более тонких техпроцессов необходимо дорогостоящее оборудование, покупка которого может в дальнейшем не оправдаться с экономической точки зрения. И если приобретение новых литографических машин – вопрос решаемый, то проблему перетекания заряда из одной ячейки в другую, из-за которой возникают ошибки, решить не так легко.

Словом, индустрия оказалась в ситуации, когда ресурсы обычной, планарной, флеш-памяти оказались исчерпаны. Поэтому появилась идея размещать ячейки не только в плоскости, но еще и слоями. Таким образом, чип получает трехмерную структуру и способен вмещать значительно больше информации на единицу площади, нежели двухмерные кристаллы. Технология получила название 3D NAND. Тут же стоит отметить, что производители используют различные техники для создания трехмерной памяти, поэтому архитектура 3D NAND у каждой компании может иметь свои особенности и отличия.

Первой компанией, наладившей производство трехмерной флеш-памяти под названием 3D V-NAND и накопителей на их основе, был корейский гигант Samsung. Еще в 2013 году они объявили о выпуске первых трехмерных чипов типа MLC, насчитывающих 24 слоя. А уже через год 3D реализацию получила флеш-память TLC, число слоев которой увеличилось до 32.

Как вы знаете, в основе конструкции планарной флеш-памяти лежит транзистор с плавающим затвором. Плавающий затвор обладает способностью удерживать заряд в течение длительного времени. Как оказалось, в этом кроется основной недостаток конструкции: при уменьшении техпроцесса вследствие износа ячеек заряд может перетекать из одной ячейки в другую. Для решения этой проблемы Samsung использует технологию 3D Charge Trap Flash, что в переводе с английского означает «ловушка заряда».

Её суть заключается в том, что заряд теперь помещается не в плавающий затвор, а в изолированную область ячейки из непроводящего материала, в данном случае — нитрида кремния (SiN). Тем самым снижается вероятность «утечки» заряда и повышается надежность ячеек.

Помимо всего прочего, применение технологии CTF позволило сделать чипы памяти более экономичными. По данным Samsung, экономия может достигать 40% в сравнении с планарной памятью.

Трехмерная ячейка 3D V-NAND представляет собой цилиндр, внешний слой которого является управляющим затвором, а внутренний – изолятором. Ячейки располагаются друг над другом и формируют стек, внутри которого проходит общий для всех ячеек цилиндрический канал из поликристаллического кремния. Количество ячеек в стеке эквивалентно количеству слоев флеш-памяти.

3D V-NAND память также может похвастаться более высокой скоростью работы. Этого удалось достичь за счет упрощения алгоритма записи в ячейку – теперь вместо трех операций выполняется всего одна. Упрощение алгоритма стало возможным благодаря меньшей интерференции между ячейками. В случае с планарной памятью из-за возможных помех между соседними ячейками требовался дополнительный анализ перед записью. Вертикальная память свободна от этой проблемы, и запись выполняется за один шаг.

Ну и несколько слов о надежности. 3D V-NAND память значительно меньше подвержена износу благодаря тому, что для записи информации в ячейку не требуется высокого напряжения. Напомним, для того чтобы поместить данные в ячейку планарной памяти применяется напряжение порядка 20 В. Для трехмерной памяти этот показатель ниже. На надежности благоприятно сказался и тот факт, что производство трехмерной флеш-памяти не требует тонких технологических норм. Например, третье поколение памяти 3D V-NAND с 48 слоями производится по отлаженному 40 нм техпроцессу.

Пока Samsung производила чипы трехмерной флеш-памяти себе в убыток (что, кстати, было официально подтверждено корейской компанией), другие производители флеш-памяти разрабатывали конкурирующие технологии. Так, компании Toshiba и SanDisk объединились в альянс для выпуска трехмерной флеш-памяти BiCS 3D NAND (Bit Cost Scalable).

Работа над технологией началась еще в 2007 году силами одной Toshiba, а первые образцы трехмерной флеш-памяти BiCS были продемонстрированы в 2009 году. С тех пор развитие технологии не форсировалось. Кроме того, альянс Toshiba/SanDisk четко дал понять, что они не собираются выводить трехмерную флеш-память в массовое производство до тех пор, пока это не будет экономически выгодно.

Основным отличием 3D флеш-памяти Toshiba от планарной, как и в случае с Samsung 3D V-NAND, является использование технологии CTF вместо классических транзисторов с плавающим затвором. Материалом для изолированной области также служит нитрид кремния (SiN). Принцип действия технологии в BiCS 3D NAND остается тем же самым: информация помещается не в плавающий затвор, как раньше, а в изолированную область.

Что выгодно отличает BiCS 3D NAND от технологии 3D V-NAND, так это использование U-образных строк (линий). Это означает, что ячейки группируются не в ряд, а в имеющую форму буквы U последовательность. По словам Toshiba, такой подход позволяет добиться максимальной надежности и скорости работы. Это стало возможным благодаря тому, что в U-образном дизайне переключающий транзистор и линия истока располагаются в верхней части последовательности (а не в нижней, как при «рядном» дизайне) и не подвергаются высокотемпературному воздействию, вследствие чего уменьшается количество ошибок при чтении и записи.

Также к преимуществам U-образного дизайна Toshiba относит и тот факт, что такая конструкция не требует использования фотолитографии в глубоком ультрафиолете. Поэтому для изготовления трехмерной флеш-памяти компания может использовать существующие производственные мощности.

Интересно и то, что в производстве BiCS 3D NAND компания Toshiba впервые в массовом будет применять технологию тонкопленочных транзисторов (TFT).

Что касается технических характеристик чипов BiCS, то это будут 48-слойные кристаллы памяти типа TLC. Их плотность составит 256 Гбит. При производстве будет использоваться отлаженный 30-40 нм техпроцесс. В целом, по характеристикам первые массовые чипы BiCS 3D NAND будут очень схожи с третьим поколением кристаллов Samsung 3D V-NAND.

Альянс Micron/Intel также ведет разработку собственной трехмерной флеш-памяти. Многие эксперты предрекали, что все проекты 3D NAND будут использовать технологию CFT, однако Micron с Intel удивили всех и пошли иным путем. Основу их трехмерной флеш-памяти составляют ячейки с плавающим затвором. В Micron утверждают, что именно такая архитектура позволяет более надежно хранить заряд в ячейке.

Кроме этого, в производстве 3D NAND используется технология «CMOS Under the Array». Её смысл состоит в том, что вся управляющая логика размещается не рядом с массивом памяти, как в 2D NAND, а под ним. Подобный дизайн позволяет освободить до 20% площади чипа и разместить на этом месте ячейки памяти.

Micron обещает наладить массовое производство чипов трехмерной флеш-памяти уже в этом году. Это будут 32-слойные кристаллы плотностью 256 Гбит (MLC) и 384 Гбит (TLC).

Об архитектуре трехмерной флеш-памяти SK Hynix известно не многое. Изначально южнокорейская компания планировала использовать ячейки с плавающим затвором, однако в конце концов выбор пал на технологию CTF. В этом году SK Hynix обещает наконец-то наладить массовое производство 3D NAND. Это будут 48-слойные чипы TLC емкостью 256 Гбит.

Ну а что касается компании OCZ, то выход SSD-накопителей на основе трехмерной флеш-памяти BiCS, безусловно, входит в наши самые ближайшие планы. Дата выхода новых устройств будет зависеть от компании Toshiba, которая обещает наладить поставки чипов BiCS 3D NAND уже во второй половине текущего года.

Флеш накопитель – что это такое, устройство, принцип работы, основные виды, как правильно выбрать?

В эру цифровых технологий нужно иметь помощников, чтобы хранить большое количество информации, при этом они должны быть мобильными для легкой транспортировки и универсальными, подходящими для всех устройств. Внимания заслуживает флеш накопитель, который благодаря большому количеству плюсов находится на пике популярности.

Что такое флеш накопитель?

Это запоминающее устройство, которое используется для хранения цифровой информации. Флеш накопитель – приспособление, в основе которого расположен модуль памяти и USB интерфейс, используемый для физического соединения к техникой. Предназначение такое же, как у устаревших дискет и оптических дисков. Однако в отличие от них флешки имеют меньшие размеры и быстрее работают. USB флеш-накопители поддерживаются всеми современными операционными системами.

Устройство флеш накопителей

Данные девайсы компактные и благодаря мобильности дают возможность подключения к разным устройствах с USB-разъемом. Для повышения внимания к своим товарам производители идут на разные уловки, одной из них является создание оригинального дизайна, однако при этом все модели имеют практически одинаковую «начинку». Usb flash состоит из следующих частей:

штекер, обеспечивающий с помощью USB интерфейса соединение с компьютером;
микроконтроллер с ОЗУ и ПЗУ;
чипы NAND флеш-памяти;
кварцевый генератор;
корпус;
светодиоды.

Принцип работы флеш накопителя

Флэш-память внутри содержит кристалл кремния с размещенными на нем полевыми транзисторами с изолированными затворами. Они могут удерживать заряд электронов. USB накопитель работает следующим образом:

на затвор подается положительное напряжение;
некоторая часть отклоняется, направляясь к плавающему затвору;
часть электронов проводят слой изолятора и проникают в плавающий затвор;
там они и сохраняются.

Флешка – характеристики

К самым важным параметрам данных устройств можно отнести:

Скорость записи информации. Показатель варьируется от 0,6 Мб/сек до 175 Мб/сек. Средний показатель 45 Мб/сек.
Скорость чтения информации. Показывает, насколько быстро данные будут перенесены с флешки в выбранное место. Диапазон колеблется от 0,8 Мб/сек до 225 Мб/сек. Стандартный показатель 35 Мб/сек.
Тип памяти. ЮСБ флеш накопитель может иметь следующие виды: MLC обеспечивает до 10 000 циклов, а SLC – до 100 000.

Чем отличается флеш диск от флеш накопителя?

Для ответа нужно понять требования, которые выдвигаются к носителю. Каждое устройство имеет свои особенности и преимущества, с которыми нужно познакомиться. К плюсам внешнего жесткого диска можно отнести:

долговечность;
возможность помещения внутрь больших файлов;
эксплуатация неограниченное количество раз;

Флэш карточка имеет следующие преимущества:

невысокую стоимость;
небольшие размеры устройства;
высокую скорость чтения и записи информации;
маленькое поглощение энергии;
большой выбор форм и расцветок корпуса.

Виды флеш накопителей

Представленные в магазинах модели отличаются емкостью, дизайном, типом интерфейса и функциями. Классификация флеш накопителей по объему памяти такая:

1 Гб;
2 Гб;
4 Гб;
8 Гб;
16 Гб;
32 Гб;
64 Гб;
128 Гб;
256 Гб;
512 Гб;
самая емкая флешка имеет объем 1024 Гб.

По стандартам интерфейса накопители представлены такими видами:

1.0 – скорость передачи данных – 600-800 Кб/сек;
1.1 – 700 Кб/сек;
2.0 – 480 Мбит/сек;
3.0 – 5 Гбит/сек;
3.1 – 10-12 Гбит/сек.

Дизайны сегодня можно встретить разнообразные, они могут быть выполнены из следующих материалов:

пластика;
дерева;
стекла;
силикона;
кожи;
металла;
резины и других.

Среди других функций флеш накопителя можно выделить:

наличие устройства ввода кода или сканера отпечатка пальца;
накопители, работающие с помощью управления голосом;
устройства с антибактериальным покрытием корпуса;
присутствие сразу двух USB-коннекторов.

Как выбрать флеш накопитель?

Это устройство простое, но при этом к выбору нужно подойти ответственно. Перед тем, как начать флеш-драйв рекомендуется обратить внимание на следующие параметры:

Производитель. Лучше приобрести известный бренд, который уже зарекомендовал себя с лучшей стороны. Разница в цене незначительная, а вот за качество никто не будет ручаться.
Объем памяти. В настоящее время оптимальный вариант 32 Гб и больше.
Скорость работы. Данный параметр у флеш накопителя измеряется показателем – Мб/с. Оптимальный вариант, когда скорость чтения 20-25 Мб/с, а запись 10-15 Мб/с.
Дизайн. В этом случае стоит решить, что важно красота или надежность. Ведь, чем больше всяких украшений, тем корпус ненадежен.
Дополнительные функции. Например, для защиты данных, может быть запрошен пароль или отпечаток пальцев.

Самый надежный флеш накопитель

Приобретать устройство для хранения информации особенно с большим объемом памяти рекомендуется в официальных магазинах, так можно уберечь себя от подделок. Качественный флеш накопитель должен соответствовать следующим параметрам:

устройство должно иметь простой дизайн и при этом высокую производительность по обработке данных;
флешка ЮСБ должна иметь небольшие размеры;
обладать качественным корпусом и удобной системой крепления.

Рейтинг флеш накопителей

Среди всего представленного на рынке разнообразия можно растеряться. Для получения информации о самых популярных моделях предлагаем познакомиться с последним перечнем, который был сложен на основании отзывов покупателей и специалистов. Рейтинг флешек включает следующие изделия:

Samsung BAR Plus. Форма корпуса помогает легче доставать флешку из разъемов. Материал – металл с функцией влагозащиты.

SanDisk Extreme PRO USB 3.1. Корпус только черного цвета. Материал – пластик с выдвижным механизмом. В открытом виде видно индикатор.

Transcend JetFlash 790. Бюджетный вариант с большим количеством плюсов. Есть отверстие для шнурка, выдвижной механизм и индикатор работы.

SanDisk Ultra Fit USB 3.1. Все модели данной фирмы только черного цвета. Устройство состоит из разъема и крепления для шнурка.

Mirex ELF. Недорогой флеш накопитель. Выпускается в четырех цветах. Имеет большой выбор объемов памяти.

SmartBuy Quartz. Отличается низкой ценой и минимальной функциональностью. Корпус пластиковый, представлен в фиолетовом и черном цвете.

Transcend JetFlash 750. Простой и надежный usb-брелок. Корпус черный, сделан из пластика. Имеет высокую скорость чтения информации.

iStorage datAshur Pro. Корпус металлический, разделяется на две части: флешка и полноразмерный колпачок. Относится к накопителям с повышенной степенью защиты.

ADATA DashDrive UV150. Корпус выполнен из пластика, разъем имеет защиту в виде колпачка. Наделен высокой скоростью.

Transcend JetDrive Go 300S. Металлический корпус заканчивается двумя разъемами. Может работать с устройствами фирмы Apple, только с ее помощью можно увеличить память на iPhone и iPad.

Как пользоваться флеш накопителем?

Устройство используется для хранения любой цифровой информации, которую можно большое количество раз перезаписывать. Флешка имеет особенность – возможность подключать бесконечное количество раз и при этом отсутствуют потребности во внешнем источнике питания. При первом использовании на компьютер будет установлен usb flash drive – небольшая программа, обеспечивающая быстрый доступ к управлению устройством.

Для записи информации или изображений нужно вставить флешку в подходящий разъем. Спустя несколько секунд пользователь получит уведомление о подключении и содержимое накопителя появится на экране монитора. Открыв нужные папки на выбранной технике, все копируется за минимальное количество времени. Флешку можно подключать даже когда компьютер или телевизор работает.

Неисправности флеш накопителей

Все проблемы с устройством можно поделить на следующие группы:

Логические. Сюда относят форматирование, удаление информации и даже сбой файловой системы. Причинами являются деструктивные действия пользователя и небезопасное извлечение накопителя. Все исправить можно только с помощью специалистов.
Механические. Относят сильный удар или попадание под воду. От вида повреждения зависит можно восстановить информацию, находящуюся на носителе, или нет. Сказать это могут только в сервисе.
Электрические повреждения. USB флеш накопитель может пострадать от нестабильного питания и скачков напряжения в сети. В этом случае ничего нельзя сделать, только приобрести новое устройство.
Сбой в работе контроллера. Сюда можно отнести: флешка не определяется, нет доступа к диску, накопитель определяется как «нулевой размер». Можно попробовать реанимировать с помощью утилит, но лучше обратиться к специалистам.
Износ flash-памяти. Данные накопители имеют одну особенность – ограниченное количество циклов записи. Когда отведенное количество подходит к концу устройство перестает читаться и пропадает доступ к данным на нем. Ремонт невозможен.

Принцип работы и устройство USB-флешки

В этой статье мы с Вами рассмотрим принцип работы и устройство USB-флешки, а также я расскажу об особенности USB-флэш-накопителя перед другими запоминающими устройствами. C появление USB-флэшки произошел некий переворот в ПЗУ устройствах и большое количество людей по всему миру оценило удобство транспортировки данных в компактном и емком флэш-накопителе, который к тому же устойчив к воздействиям окружающей среды.

Первым делом, я хотел бы дать определение флэш-накопителю, а уж потом рассказать о его особенности перед другими запоминающими устройствами.

USB-Flash Drive (флешка, флэшка) — устройство для накопления и хранения информации. Переданные устройству данные располагаются и хранятся во флэш-памяти. Для получения информации usb флешку необходимо подключить к телевизору (Smart), компьютеру, планшету или любому другому считывающему устройству.

К основным недостаткам USB флэш-накопителя можно отнести ограниченный цикл записи/стирания, но хранящуюся в устройстве можно считать бесконечное количество раз. Цикл перезаписи современными стандартами на сегодняшний день ограничен от 10000 и до 100000 раз. Если взять во внимание минимальный цикл перезаписи (10000) то может показаться, что для эксплуатации такое количество более чем достаточно. Но на самом деле это не так.

Представьте себе ситуации, когда вы интенсивно используете флэшку перезаписывая на ней данные по нескольку раз в день. Согласитесь, что при такой эксплуатации, такое количество циклов (10000) для обновления информации уже не кажется таким уж большим. Хотя, справедливости ради, стоит сказать, что для рядового пользователя флэш-накопитель с минимальным ограничением перезаписи прослужит немало времени.

К сожалению не все USB накопители отрабатывают свой положенный срок честно. Как правило, виной этому производители мало известных фирм и компании с неизвестным происхождением, которые не соблюдают технологических норм при создании постоянного запоминающего устройства (ПЗУ). Очень часто наши китайские «друзья», которые любят делать подделки именитых брендов, не соблюдают технологию (не качественные детали) и создают дешевые накопительные устройства, которые раньше положенного времени выходят из строя.

На что нужно обратить внимание при выборе USB-флэш-накопителя.

Производитель (компания). Чтобы свести к минимуму преждевременный выход из строя USB-флэш-накопителя , делайте свой выбор в пользу зарекомендовавших себя компаний, которые работаю на рынке не один год. Например, это могут быть такие компании как: Kingston, Transcend, Corsair, Apacer…
Так же при выборе usb-флэш-накопителя обратите внимание на каком типе памяти она построена. Хорошо если в ней установлена флэш-память типа NAND, потому что именно этот тип памяти может выполнить около 100000 циклов записи/стирания информации.

В основе USB флэш-накопителя находиться флэш-память типа NAND и небольшой микроконтроллер со встроенным ROM или RAM. Флэш-память (Flash Memory) относится к классу EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрически стираемое перепрограммируемое запоминающее устройство ПЗУ или ЭСППЗУ.

Основное достоинство этого устройства в том, что оно энергонезависимо, а значит ему не нужно электричество для хранения данных. Стоит сказать, что основная особенность EEPROM в том, что хранящуюся информацию в устройстве (mini SD, MMC, SD, USB-флешка…) можно считать бесконечное количество раз, а вот количество записи к сожалению ограничено (мы уже с вами говорили о том как выбрать SD карту).

Как правило на упаковке указывают и то и другое. Но и не редки случай, когда указывают только число циклов или тип памяти.

Тип ячеек памяти. В рядовых флэшках (USB-Flash-Drive) используют два типа ячеек памяти MLC и SLC. Как правило более дешевые модели USB флэш-накопителей комплектуют MLC (Multi-level cell — многоуровневые ячейки памяти)ячейками, которые могут выдержать около 10 тысяч циклов. Ну и как вы уже догадались SLC (Single-level cell — одноуровневые ячейки памяти) ячейками комплектуют более дорогие модели, которые выдерживают до 100000, а то и более циклов записи/стирания.

Если вы в ближайшее время планируете покупать такой накопитель (USB-Flash-Drive), то рекомендую прочитать статью о том как выбрать надежную USB флешку.

Принцип работы USB -флеш-накопителя и его компоненты.

Как я уже писал выше, что в основе USB-накопителя лежит флэш-память типа NAND или NOR. В свою очередь флэш-память содержит в себе кристалл кремния на котором размещены полевые транзисторы с плавающими и управляющими изолированными затворами. Стоит сказать, что полевые транзисторы имеют сток и исток. Так вот плавающий затвор транзистора способен удерживать заряд (электроны).

Во время записи данных на управляющий затвор подается положительное напряжение и некоторая часть электронов направляется (двигается) от стока к истоку, отклоняясь к плавающему затвору. Часть электронов преодолевает тонкий слой изолятора и проникают в плавающий затвор, где и остаются на продолжительный срок хранения. Время хранения информации измеряется годами, но так или иначе оно ограничено.

Устройство USB flash довольно компактны, мобильны и дают возможность подключиться к любому компьютеру, который имеет USB-разъем. На что только не идут производители чтобы угодить потенциальным покупателям совмещая USB накопитель со всевозможными брелками, украшениями, игрушками и авторучками…

Устройство USB Flash накопителя состоит из следующих электронных компонентов:

Разъем USB.
Микроконтроллер.
Контрольные точки.
Чип (микросхема) флэш-памяти.
Кварцевый резонатор.
Светодиод.
Переключатель (защита от записи).
Место для микросхемы памяти (дополнительное место).

Далее я хотел бы более подробно остановиться на основных компонентах usb flash накопителя и описать некоторые характерные симптомы нестабильной работы USB Flash накопителя.

Компоненты и симптомы нестабильной работы USB Flash накопителя.

PCB — это многослойная печатная плата, которая служит основой для всех размещенных (распаянных) деталей электроники. Имеет следующие типичные неисправности: некачественно выполненный монтаж деталей электроники при деформации (изгибы, удары) платы приводит к внутренним разрывам около проводников и нестабильной работе usb-флэш накопителя.
USB разъем — предназначен для подключения флэш-накопителя к устройствам чтения. При некачественном монтаже разъем отрывается от дорожек и в месте пайки. Не так давно я сталкивался с данным явлением.
Микроконтроллер — микросхема, в обязанности которой входит управление памятью типа NAND и передача информации. Содержит в себе данные о производителе и типе памяти, а также хранит в себе необходимую служебную информацию для правильного функционирования флэш-накопителя. По вине контроллера чаще всего происходит выход из строя флэш-накопителя.
Симптомы характеризующие его выход из строя: флэш-накопитель определяется как «неизвестное устройство», показывает не правильный размер (объем) накопителя или просит вставить чистый диск в устройство чтения. Причиной выхода из строя контроллера (сгорает) — служит некачественное питание, плохая работа стабилизатора и неправильное извлечение флэш-накопителя.
Микросхема памяти типа NAND — это энергонезависимая память, которая отвечает за хранение информации. По истечении N-го количества времени, при сбое или повреждении в памяти могут образоваться поврежденные блоки (бэд блоки). Возможны и другие причины появления испорченных блоков, в которые больше не представляется возможным записывать/считывать информацию. Устранить такую неисправность можно с помощью узкоспециализированных программ, что в конечном итоге уменьшит объем памяти, но восстановит работоспособность.
Кварцевый резонатор — используется для построения опорной частоты, которая необходима для функционирования логики контроллера и флэш-памяти. При выходе из строя, USB флэш-накопитель определяется как «неизвестное устройство» или не определяется вовсе(не видит считывающее устройство).

Преимущества USB-флешек:

Небольшой размер, вес, портативность.
Накопитель можно подключить к любому устройству считывания (практически везде есть USB).
Практически нет влияния от внешней окружающей среды (пыль, царапины, загрязненность).
USB флешка может работать в широком диапазоне температур.
Малые габариты позволяют хранить большой объем информации.
Низкое энергопотребления.
В сравнении с жестким дискам, она устойчивее к внешним воздействиям, вибрациям и ударам.
Удобство подключения к устройству.
Высокая скорость доступа к данным.

Недостатки USB-флешек:

Ограниченное число циклов записи и стирания перед выходом из строя.
Ограниченный срок автономного хранения данных.
Скорость записи и чтения ограничены пропускной способностью шины USB и самой флеш-памяти.
Чувствительны к радиации и электростатическому разряду (обычно наблюдается в быту, чаще всего зимой).

В заключении статьи предлагаю Вам посмотреть тематическое видео по производству USB Flash накопителей на заводе Kingston Production.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Читайте также

Поделитесь в соцсетях:

6
0
2018-06-12T16:39:42+00:00
На чем информация может храниться дольше всего? Имею ввиду действительно длительные сроки. Например домашний архив с фото и документами, который хотелось бы передать правнукам. Облака не предлагать. Спасибо.
3
0
2018-03-05T08:55:25+00:00
Очень полезная и понятная статья, спасибо
0
0
2015-01-04T12:27:55+00:00
Да перезаписывайте сколько угодно. Ресурса флеш-накопителя хватит на много лет. А вот на производителя действительно стоит обращать внимание и это я уже описывал в одной из публикаций.
0
0
2015-01-04T12:19:27+00:00
Согласна, как и при выборе любого другого продукта, при покупке USB-флэш-накопителя следует обратить внимание на фирму-изготовителя (переходите по ссылке и узнавайте имена лучших компаний). Уже исходя из этого станет ясно, прослужит флешка долго или в скором времени с ней будут проблемы. В любом случае, ее следует беречь и стараться не перезаписывать информацию множество раз.
Flash память в телефоне - MobiService Минск, Уручье.
Эта статья должна дать четкое представление что такое flash память в телефоне и зачем она нужна. Я потрачу немного времени и расскажу про нее, что знаю. Вы прочтите, потому что редко от мастера увидишь такие статьи. Их пишут, как правило, те кто не разбирается в вопросе)).
Flash память что это?
В любом современном смартфоне и планшете есть внутренняя память. Это знаете как на «русском» языке? Лежит USB флешка в кармане и на ней хранятся фотографии, документы. А когда мы ее подключим к компьютеру или ноутбуку, то увидим содержимое. Тем самым микросхема флеш-памяти содержит и хранит наши файлы. Друзья, не путайте ее с micro SD карточкой памяти (внешняя карта памяти). Чип флеш памяти изображен на рисунке 1.

Рисунок 1
Рисунок 2
Такая микросхема имеет разные размеры — форм-фактор, разный объем памяти. Есть флеш память 8 Гб, флеш память 16 Гб, флеш память 32 Гб и флеш память 64 Гб. Но прогресс, как говорится, на месте не стоит. Уже в новых смартфонах внутренняя flash память достигает 1 Тб объема хранимой информации. Но мы давайте, остановимся на том что имеем. Что на данный момент является проблемой, носящей распространенный характер.
Производители мобильных телефонов и планшетов повсеместно начали оснащать таким чипом свои девайсы. Началось это примерно с 2013 года. Раньше применялась nand память (Рисунок 2). Причиной смены явились: скорость передачи информации, размер накопителя. Не стоит забывать, что у flash памяти eMMC свой внутренний контроллер. Он отвечает за распределение и хранение ваших файлов. А у nand чипов эту роль выполнял процессор устройства. Да и техника наша с вами постоянно совершенствуется.
Сгорела плата в телефоне.
В сервисе разводят руками и говорят: «Сгорела плата в телефоне», примерно так.
Для микросхем флеш памяти eMMC ресурс работы около 3 лет. Как показывает практика, работают и по 7 лет. Вот пришло то время когда вроде бы смартфон по характеристикам еще должен работать, а тут выключился. И вот несете в сервис прошить телефон, ну или планшет. В сервисе разводят руками и говорят: «Сгорела плата в телефоне», примерно так. Это если уровень знаний недостаточный у инженера. Квалифицированный мастер всегда точно определит причину поломки телефона. Т.е. понятия «сгорела плата» и «сгорела микросхема памяти» разные.
Почему я хочу поставить акцент на этот аспект? Потому что флеш память меняется отдельно и дешевле за стоимость замены платы. С некоторой стороны заменить плату выгоднее, чем тратить время на ремонт. А самое главное, мастеров, умеющих менять отдельно flash память на пальцах можно пересчитать. Учитывайте, что плату вам установят с другого такого же телефона. То есть вы получаете кота в мешке. Где гарантии что ресурс не выработан у чипа, что стоит на ней?
Не будем останавливаться на компетентности сотрудников различных сервисов. Остановимся на том как определить что пора менять чип.
Когда нужна замена flash памяти.
А как узнать? Легко. Я пишу вам симптомы, а вы выбираете свой пункт и все становится на свои места)).
Не сохраняются файлы в телефоне или планшете. Естественно все моменты связанные с глюками компьютера опускаем))). Это просто, вот вы подключили устройство к ноутбуку, открыли папку и копируете файл, а он не копируется. Ну или копируется, но не появляется. А еще лучше фото сделали камерой, а оно не сохранилось.
Приложение будет остановлено. Знакомо? Еще каааак, не то чтобы злорадствую, но это распространенная причина. Любое приложение, работало и дало сбой, не связанный с работой операционной системы. Значит как по фиксить:
— заходим в настройки — приложения. Ищем свое приложение и чистим кэш. Если повторяются ошибки, то
— удаляем приложение и переустанавливаем его вновь. Не помогло…
— сохраняем все важные фотографии, контакты, записи и делаем сброс к заводским установкам. Внимание!!!Имейте в виду, что удалится вся информация!
Перезагружаться стал и в последнее время все чаще. Если исключить случаи с «уставшим» аккумулятором или проблемой питания, то замена. Играете в игрушку, серфите браузер…БАХ…выключается телефон или планшет и включается заново.
Выключился смартфон. Вот вроде был компьютер пиликает …иногда…когда подключили к нему телефон, но ничего не происходит. Батарейка заряжена. Вот тут беда. Тут уже поможет диагностика от квалифицированного мастера.
Почему сгорела флеш память?
Вот все вышеперечисленные пункты происходят от чего. Информация во флеш памяти как говорилось выше распределяется по адресам и в них хранится. Вот вы файлик сохранили в телефоне, это файлик в соответствии с таблицей файловой системы разносится по разным адресам. А нашли старую фотографию, удалили ее с телефона, осталось место свободное, следующий файл будет заполнять это место.
Это как сиденье в автобусе на котором мы сидим ежедневно. Одно мягкое место посидело, ушло, второе пришло… Вот стирается обивка и приходит в негодность. Тоже самое и с ячейком (адресом), со временем она становится медленной. Потом вовсе нельзя на ней хранить 0 или 1.
Контроллер ее помечает неисправной и пересчитывает на другие адреса. В итоге мы имеем большое количество ошибок и сбои в работе. А глобально, вот вы, например, телефон постоянно включаете и выключаете. Это сказывается на области Flash памяти где хранится прошивка телефона. Вовсе перестает включаться и да: «сгорела флеш память». Вот откуда это понятие))).
А вот интересный момент, так сказать яркий пример. У одного моего постоянного клиента упал телефон Xiaomi. После падения перезагружается. Батарейку не снять, нет инструмента. Он его по заряжал, кинул в сторону и взял другой телефон на время. Через месяц дошел до нас только)). Сняли мы микросхему памяти, проверяем ее специальным программатором flash памяти. Износ превысил 80%. Ну тут вроде бы понятно, удар видимо это как оправдание неисправности. У кого ж телефон не падает? Правда? А не тут то было. Мы вычитали и достали файлы (кстати есть статья про извлечение файлов из памяти). Не путайте с понятием восстановление удаленных файлов. Заменили новую память, включаем телефон, а он перезагружается. Друзья, проблема оказалась в том, что после удара нарушилась в процессоре пайка, и вся проблема из-за контакта. А память страдала-страдала, да и выстрадала.
Достать файлы из флеш памяти.
Ну раз уже задели тему извлечения, давайте остановимся. Важно понять, что в последнее время производители телефонов стали шифровать данные пользователя. Это зависит и от операционной системы, например, с версии android 7.0 уже раздел с файлами ваши зашифрован. Ну или пользователь сам может зашифровать свой аппарат. Люди часто звонят и спрашивают, вот сгорела плата, как извлечь фото из андроид моего. Вот если не зашифровано ничего, то решаемо. Просто процедуры извлечения разные, от простых до трудоемких способов. Для таких случаев в основном флеш память выпаивается и через программатор флеш памяти считывается содержимое. Такие программаторы стоят больших денег. Поэтому и цена на такие работы дорогая. Всегда помните, что принеся неквалифицированным ребятам свой аппарат, по сути вы станете как минер… ))) Ошибается единожды. Раскурочат, сломают напополам флеш память и пиши пропало. В общем думайте сами)).
Почему надо менять флеш память.
В первую очередь, есть новые микросхемы еще в доступе. Либо микросхемы снятые когда-то с бракованных по другим причинам плат в телефонах. Это плюс, новый чип — новая жизнь. А знаете, что можно варьировать объемом флеш памяти? Вот стояла у вас микросхема на 4 Гб, а мы можем поставить на 16 Гб. И все буде отлично и без нареканий работать. Плюс ко всему ж есть гарантия 4 месяца. А, как правило, по опыту, если работает, то уже работает. На ближайшие минимум 2-3 года вы обеспечены работой девайса.
Кстати, любим делать фото работ «До» и «После». Есть и в instagram фото и в профиле на онлайнере в Услугах. В общем, как говорится, себя не похвалишь, никто не похвалит))).Там можно посмотреть кое-чего для ликбеза.
Замена flash памяти в телефоне и планшете.
А знаете что? Сейчас мы с вами поменяем память в…..в…а пусть в Huawei P8 lite.
Итак, берем аппарат, вскрываем его и извлекаем из устройства системную плату. Это то про что выше упоминалось: «Сгорела плата» ))
Ставим ее в держатель для плат. Нужно для ее фиксации, чтобы она была неподвижной. И феном ее выпаиваем. Выпаиваем так, чтобы не повредить сам чип и рядом стоящие не перегреть, а это Мастерство!!! Повредить ее нельзя, потому что оттуда нужны фотографии хозяйке телефона.
Вот мы микросхему выпаяли и подготовили для установки в сокет для чтения программатором флеш памяти ее содержимого.
Поставили в сокет и она прочиталась. На следующем рисунке особо внимательные читатели этой статьи обратят внимание. Версия прошивки 5.0, т.е. телефон не включался, а драгоценные фотографии мы хозяйке достанем.
После всего этого возьмется другая микросхема, рабочая. Мы ее установим и восстановим программное обеспечение телефону. Но это уже другая история)).
Также читайте: «Замена флеш памяти»
Определение флэш-память общее значение и понятие. Что это такое флэш-память

Флэш-память - это своего рода чип, который используется для хранения и передачи данных . Эту технологию можно найти на картах, USB-устройствах, цифровых камерах, MP3-плеерах и других технологических элементах.
Это эволюция EEPROM : электрически стираемая программируемая постоянная память, то есть класс памяти ROM (только для чтения), который можно программировать, перепрограммировать и стирать в электронном виде. Таким образом, флэш-память является программируемой и стираемой в электронном виде, а также может использоваться в качестве независимого запоминающего устройства.
Можно сказать, что флэш-память - это EEPROM, программирование и удаление которого имеют форму больших блоков. Он основан на полупроводниках, и его чтение и запись задаются с помощью электрических импульсов.
Когда устройство с флэш-памятью отключено, содержащаяся в нем информация не теряется. Вот почему его можно транспортировать, например, передавая данные с одного компьютера (компьютера) на другой.
Эти воспоминания не содержат движущихся частей, поэтому их легко перемещать и использовать. Они также отличаются своим сопротивлением и потреблением меньшего количества энергии .
Флэш-память USB, также известная как pendrive, является полезным аксессуаром для хранения и чтения фотографий, музыки, видео и любых других типов файлов или документов. Фотограф, чтобы привести случай, может использовать флэш-память этого типа для хранения изображений, а затем редактировать или отображать их на любом компьютере. Тем временем писатель имеет возможность использовать эту технологию для резервного копирования своих текстов.

ПАМЯТЬ - это... Что такое ФЛЭШ-ПАМЯТЬ?
ФЛЭШ-ПАМЯТЬ (англ. flash memory, flash storage) или электрически стираемое перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство (ЭСППЗУ, EEPROM) — энергонезависимое полупроводниковое запоминающее устройство (см. ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО), выполненное в виде микросхемы (чипа), в которую можно записывать данные и долговременно их хранить. Стирание производится электрическим разрядом, после чего можно записывать новые данные. Некоторые виды ЭСППЗУ для стирания и перепрограммирования требуют использования специальных устройств. Другие, собственно относящиеся к категории флэш-памяти, могут стираться и перепрограммироваться непосредственно в компьютере.
В зависимости от технологии построения базовых элементов флэш-памяти, отличающихся количеством активных слоев, организацией их структуры, методами стирания и записи данных, различают следующие архитектуры ее построения: 1) NOR (ИЛИ-НЕ) и 2) NAND (И-НЕ). Первый тип имеет относительно большие размеры ячеек и обеспечивает быстрый произвольный доступ непосредственно к ним, что считается более удобным для хранения программ. Однако процессы записи и стирания данных происходят достаточно медленно. Второй тип памяти имеет меньшие размеры ячеек, что позволяет добиться более компактного расположения транзисторов. Кроме того, поскольку запись данных производится в этом случае методом квантового туннелирования электронов из области плавающего затвора транзистора в область истока (Метод Фаулера-Нордхейма — Fowler-Nordheim method, FN method), а не инжекции горячих электронов, как это имеет место в NOR-архитектуре, запись данных производится значительно быстрее. Чтобы уменьшить эффект низкой скорости чтения, микросхемы NAND снабжаются внутренним кэшем. Имеются и другие архитектуры построения флэш-памяти (например AND, DiNOR и др.), однако они не получили массового распространения.
Конструктивно флэш-память выполняется либо в виде USB-флэш-памяти, либо в виде карт памяти (наиболее распространены стандарты Compact Flash, Memory Stick, MultiMediaCard, SecureDigital, SmartMedia и их различные модификации), которые используются в различных компактных цифровых устройствах (КПК (см. КАРМАННЫЙ ПЕРСОНАЛЬНЫЙ КОМПЬЮТЕР), цифровых фотокамерах, плеерах, смартфонах). USB-флэш-память подключается напрямую к компьютеру через порт USB, в современных операционных системах для этого не требуется даже драйвера. Для чтения карт памяти используется карт-ридер, во многих ноутбуках (см. НОУТБУК) имеются встроенные карт-ридеры.
Pci flash память что это такое

Совместимость : Windows 10, 8.1, 8, 7, Vista, XP
Загрузить размер : 6MB
Требования : Процессор 300 МГц, 256 MB Ram, 22 MB HDD

Ограничения: эта загрузка представляет собой бесплатную ознакомительную версию. Полный ремонт, начиная с $ 19.95.

флэш-память pci обычно вызвано неверно настроенными системными настройками или нерегулярными записями в реестре Windows. Эта ошибка может быть исправлена специальным программным обеспечением, которое восстанавливает реестр и настраивает системные настройки для восстановления стабильности

Если у вас есть флэш-память pci, мы настоятельно рекомендуем вам Загрузить (pci flash memory) Repair Tool .

This article contains information that shows you how to fix pci flash memory both (manually) and (automatically) , In addition, this article will help you troubleshoot some common error messages related to pci flash memory that you may receive.

Примечание: Эта статья была обновлено на 2019-11-15 и ранее опубликованный под WIKI_Q210794

Contents [show]

Значение флэш-памяти pci?

флэш-память pci — это имя ошибки, содержащее сведения об ошибке, включая причины ее возникновения, неисправность системного компонента или приложения для возникновения этой ошибки вместе с некоторой другой информацией. Численный код в имени ошибки содержит данные, которые могут быть расшифрованы производителем неисправного компонента или приложения. Ошибка, использующая этот код, может возникать во многих разных местах внутри системы, поэтому, несмотря на то, что она содержит некоторые данные в ее имени, пользователю все же сложно определить и исправить причину ошибки без особых технических знаний или соответствующего программного обеспечения.

Причины флэш-памяти pci?

Если вы получили эту ошибку на своем ПК, это означает, что произошла сбой в работе вашей системы. Общие причины включают неправильную или неудачную установку или удаление программного обеспечения, которое может привести к недействительным записям в вашем реестре Windows, последствиям атаки вирусов или вредоносных программ, неправильному отключению системы из-за сбоя питания или другого фактора, кто-то с небольшими техническими знаниями, случайно удалив необходимый системный файл или запись в реестре, а также ряд других причин. Непосредственной причиной ошибки «pci flash memory» является неправильное выполнение одной из обычных операций с помощью системного или прикладного компонента.

More info on pci flash memory

Я проверяю водителя, и я видел, как его оценили. Может ли это быть недостающим, что такое модель вашего ноутбука? Моя система должна быть оценена. Добро пожаловать! это 80GB, 512MB RAM.

Проблема заключается в том, что драйвер считывателя карт — проблема с флэш-памятью pci (три раза это говорит). Может ли это быть причиной того, что полоса прокрутки работает неправильно? Моя проблема с конфигурацией памяти pci в системе (три раза ее говорит).

: cool Help действительно будет 80GB, 512MB RAM. Я проверяю драйвер, и я видел, что ответственный за работу прокрутки работает неправильно? Спасибо за ваше

Скажите, что я могу это объяснить. Настолько надеюсь, что я 500 GB внешний жесткий диск. Могу ли я что-то сделать, чтобы вернуть «скрытую» память?

Я знаю 465 GB в соответствии с ним и моим компьютером.

Но, как оказалось, есть только игроки mp3, такие как iPod. Почему нет 500 вопрос неудобен. Почему это? Это также относится к Gb, а скорее только к 465?

Любые советы были бы компактной вспышкой 128 или 256 Mb через адаптер без проблем. В обоих случаях он ищет окна для решения, он в слоте мультимедиа спереди и запрашивает драйверы для этого тоже . Мой муж (хороший знаток ПК) очень ценится. Я сейчас купил 512mb компактную вспышку EOS 300D), но мой ноутбук говорит, что не может найти программное обеспечение .

1Gb, но мой ноутбук не согласится с тем, что либо .

У меня был мой ноутбук с марта, и я использовал, а затем приобрел карту USB 2.0 на карте памяти, и он не работает, либо все еще запрашивает драйверы. Выкопал карту Mulitmedia 512mb с фотографиями на ней и попытался потеряться, как я.

Тем не менее, теперь я приобрел 1Gb (для меня затем просит диск сопровождать аппаратное обеспечение. Отсутствие необходимой памяти на флэш-памяти Win 8

Куда нужно вести движение? Стандартная флэш-память 128 GB кажется безнадежно недостаточной для хранения SD-карт на некоторых из них. Модели верхнего уровня обычно предлагают только внешние внешние устройства, такие как жесткий диск, свисающий с него в мобильных ситуациях. Это не идеальный, но лучше только один или два USB-порта.

Я смотрел на Surface Pro и память вместо жесткого диска. Вы можете добавить дополнительное хранилище с помощью Win 8, полного набора программ и приличного количества данных. Ничто не носит USB-порт быстрее, чем довольно тяжелые другие конвертируемые планшеты / ноутбуки, оснащенные Win 8. Должна ли возникнуть внешняя жесткая необходимая память?

Большинство из этих тонких, дорогих моделей, чем я предполагаю. Флэш-память -v- Карты памяти SD

минусы вышеуказанного для использования в цифровой камере.
Кто-нибудь, пожалуйста, посоветуйте мне профи и все, что я знаю о них. Flash более дорогая, thats USB флеш-память И выиграть 95

Флэш-память является общей, говорит, что скорость привода на компьютере по-прежнему имеет WINDOWS 95 .

Сегодня понял, что офис и я ничего не нашли на Driver.com или PCdrivers.com.

Недавно появился накопитель флэш-памяти 128MB для транспортировки файлов.

Драйверы, которые пришли с ним, начинаются с Win98 снаружи (выходят на ebay для кражи). Есть ли способ заставить компьютер Win95 распознать диск? Новая флэш-память SD

Помогите, я не уверен, что за ваш ответ.

Кстати, вы об этом думаете? Что я могу сделать дальше.

Что я могу сделать? я делаю неправильно?

Если я возьму карточку, которую у меня есть на своей цифровой камере, и поставлю ее на ладонь или на мой компьютер, они открыты просто отлично. Могу ли я получить какое-то программное обеспечение или сделать Что, черт возьми, я просто использую только 2GB и более мелкие SD-карты? Флэш-память USB

И некоторые безумные навыки пайки, потому что AFAIK все эти чипы, а затем выбирают остальные компоненты в соответствии с этим.

Вам нужен чип контроллера (поиск, чтобы найти сайт? Я предлагаю вам найти либо дилера электроники для USB-контроллера вспышки), либо флеш-чип. Не могли бы вы помочь мне создателю, но мне не удалось найти ни одного адреса.

Выберите микросхему контроллера, заранее прочитайте спецификацию и примечания к приложению. Я нашел сотни USB внутри USB-ключа, чтобы сделать свой собственный. Я просто хочу, чтобы электронная система, которую вы положили, попала в пакеты с поверхностным монтажом, которые PITA обрабатывают вручную. Спасибо, ключевые разработчики меня не интересуют.

Я искал флеш-память USB и играю с тем, что они могут предложить. Флэш-память

Недавно я приобрел флеш-карту 16Gb, задавался вопросом, есть ли какой-нибудь способ (через 3rd party software) readyboost на xp? Вспышка Sd

W2K prof SP4, AMD 1.4 G 512 MB
К счастью, камера Fuji догадывается о людях

Выполнены обычные вещи

любой и устройство чтения карт памяти SAN при следующей загрузке . Флэш-память не может быть прочитана.

Еще раз спасибо всем, кто
Некоторое время назад я опубликовал несколько заметок, касающихся ответа, и предложил помощь в этом. проблемы, с которыми я столкнулся с устройством флэш-памяти (BELKIN). У вспышки постоянно заканчивается память .

Это действительно мешает мне выполнять работу, которую мне нужно делать, и ее никогда не случалось раньше . PLS помочь мне .
Использование флэш-памяти между XP2 и Windows 98

Попробуйте создать и сохранить документ на свой настольный компьютер, затем скопируйте и вставьте в флэш-память, а затем скопируйте и вставьте в «Привод на ноутбуке». Флэш-память недоступна

Флеш-память ScanDisk Cruzer Blade 8 GB

Пытался открыть флэш-память, i
как это исправить? Также это сообщение об ошибке RAW обнаружило, что оно недоступно, его размер равен нулю! Сбой флэш-памяти USB

— Какую операционную систему ты используешь?
— В частности, какая ошибка вместо сбоев. Он ждет маленького всплывающего окна, в котором говорится, что он был найден — или что? Netcam, мышь, привод — бесполезно.

Я переформатировал мысли на мгновение или три, затем сработал машину — или, вернее, перезагрузил ее. Это должно привести к сбою системы при подключении флеш-накопителя LG USB.

Когда у меня есть несколько устройств, подключенных к ПК через USB Technel

устройства подключаются, когда вы вставляете карту памяти USB?

Я купил PNY («Attache» и 2.0) и установил оба драйвера. Я вижу только диск (PNY) «G», если я использую это?

256 MB, флэш-память (атташе).

Установлены драйверы BOTH с шлюза поставщика PIII, 512 RAM, Win98SE. Любое исправление для поиска дисков (Мой компьютер / Исследуйте / Драйверы) ПОСЛЕ того, как я вставляю палку. Флэш-накопитель не хватает памяти?

Если вы разместите эту информацию, что вы на самом деле имеете там. Можете ли вы, и я пошел поместить на него несколько фотографий. Вы мала по размеру, и палка памяти будет принимать только 4.

Итак, у меня есть этот флеш-накопитель 8 GB для ПК-администратора?

Чтобы иметь изображения над размером 1GB n, на нем нет, но на нем все еще есть 4GB. Откройте «мой компьютер» и посмотрите, что это может помочь

Добро пожаловать на этот диск. Для T / S это не так!

У вас должно быть что-то ненормальное в наши дни с камерами с высоким разрешением. Вы были?

Прежде всего . Мой флеш-накопитель 4GB является «U3», поэтому он имеет изображения программного обеспечения U3, равные 8 GB . что делать? Почему это, чтобы увидеть скрытые файлы?

У меня было десять фото, которые я хотел бы надеть, которые доставляют какие-либо ошибки? USB флэш-накопитель

А во-вторых, если я использую? Я только что привел драйвер флеш-памяти к соответствующим драйверам для его подключения.
Все, что я сделал — это нажать на все мои файлы на флэш-накопитель. Но когда я пытаюсь использовать панель, то добавляю новое оборудование, а затем USB Disk 2.0.

Window xp и Vista должны распознать его и установить его, как мне создать другой драйвер.

Я новичок в флеш-накопителе и моем компьютере, и я не знаю, как его установить. Мне нужен драйвер, поэтому я мог бы сэкономить первый вопрос: как правильно установить флеш-накопитель. Какую операционную систему установить или обновить драйвер.

В нем говорится: «Windows не смогла найти драйвер для этого устройства»

У меня еще нет поддержки, поэтому мне нужна помощь в этом. Проблема с флэш-памятью USB

У меня есть файлы в / из него, это занимает очень много времени. Скорее всего, вы его вставили в

NO. Его скорость очень низкая, то есть когда я копирую или удаляю, чтобы ускорить ее? Благодарю.

Слот USB 1.1, когда ему нужен USB 2.0.

Предисловие

Новый Год – приятный, светлый праздник, в который мы все подводим итоги год ушедшего, смотрим с надеждой в будущее и дарим подарки. В этой связи мне хотелось бы поблагодарить всех хабра-жителей за поддержку, помощь и интерес, проявленный к моим статьям (1, 2, 3, 4). Если бы Вы когда-то не поддержали первую, не было и последующих (уже 5 статей)! Спасибо! И, конечно же, я хочу сделать подарок в виде научно-популярно-познавательной статьи о том, как можно весело, интересно и с пользой (как личной, так и общественной) применять довольно суровое на первый взгляд аналитическое оборудование. Сегодня под Новый Год на праздничном операционном столе лежат: USB-Flash накопитель от A-Data и модуль SO-DIMM SDRAM от Samsung.

Теоретическая часть

Постараюсь быть предельно краток, чтобы все мы успели приготовить салат оливье с запасом к праздничному столу, поэтому часть материала будет в виде ссылок: захотите – почитаете на досуге…

Какая память бывает?

На настоящий момент есть множество вариантов хранения информации, какие-то из них требуют постоянной подпитки электричеством (RAM), какие-то навсегда «вшиты» в управляющие микросхемы окружающей нас техники (ROM), а какие-то сочетают в себе качества и тех, и других (Hybrid). К последним, в частности, и принадлежит flash. Вроде бы и энергонезависимая память, но законы физики отменить сложно, и периодически на флешках перезаписывать информацию всё-таки приходится.

Тут можно подробнее ознакомиться с ниже приведённой схемой и сравнением характеристик различных типов «твердотельной памяти». Или тут – жаль, что я был ещё ребёнком в 2003 году, в таком проекте не дали поучаствовать…

Современные типы «твердотельной памяти». Источник

Единственное, что, пожалуй, может объединять все эти типы памяти – более-менее одинаковый принцип работы. Есть некоторая двумерная или трёхмерная матрица, которая заполняется 0 и 1 примерно таким образом и из которой мы впоследствии можем эти значения либо считать, либо заменить, т.е. всё это прямой аналог предшественника – памяти на ферритовых кольцах.

Что такое flash-память и какой она бывает (NOR и NAND)?

Начнём с flash-памяти. Когда-то давно на небезызвестном ixbt была опубликована довольно подробная статья о том, что представляет собой Flash, и какие 2 основных сорта данного вида памяти бывают. В частности, есть NOR (логическое не-или) и NAND (логическое не-и) Flash-память (тут тоже всё очень подробно описано), которые несколько отличаются по своей организации (например, NOR – двумерная, NAND может быть и трехмерной), но имеют один общий элемент – транзистор с плавающим затвором.

Схематическое представление транзистора с плавающим затвором. Источник

Итак, как же это чудо инженерной мысли работает? Вместе с некоторыми физическими формулами это описано тут. Если вкратце, то между управляющим затвором и каналом, по которому ток течёт от истока к стоку, мы помещаем тот самый плавающий затвор, окружённый тонким слоем диэлектрика. В результате, при протекании тока через такой «модифицированный» полевой транзистор часть электронов с высокой энергией туннелируют сквозь диэлектрик и оказываются внутри плавающего затвора. Понятно, что пока электроны туннелировали, бродили внутри этого затвора, они потеряли часть энергии и назад практически вернуться не могут.

NB: «практически» — ключевое слово, ведь без перезаписи, без обновления ячеек хотя бы раз в несколько лет Flash «обнуляется» так же, как оперативная память, после выключения компьютера.

Там же, на ixbt, есть ещё одна статья, которая посвящена возможности записи на один транзистор с плавающим затвором нескольких бит информации, что существенно увеличивает плотность записи.

В случае рассматриваемой нами флешки память будет, естественно, NAND и, скорее всего, multi-level cell (MLC).

Если интересно продолжить знакомиться с технологиями Flash-памяти, то тут представлен взгляд из 2004 года на данную проблематику. А здесь (1, 2, 3) некоторые лабораторные решения для памяти нового поколения. Не думаю, что эти идеи и технологии удалось реализовать на практике, но, может быть, кто-то знает лучше меня?!

Что такое DRAM?

Если кто-то забыл, что такое DRAM, то милости просим сюда.

Опять мы имеем двумерный массив, который необходимо заполнить 0 и 1. Так как на накопление заряда на плавающем затворе уходит довольно продолжительное время, то в случае RAM применяется иное решение. Ячейка памяти состоит из конденсатора и обычного полевого транзистора. При этом сам конденсатор имеет, с одной стороны, примитивное физическое устройство, но, с другой стороны, нетривиально реализован в железе:

Устройство ячейки RAM. Источник

Опять-таки на ixbt есть неплохая статья, посвящённая DRAM и SDRAM памяти. Она, конечно, не так свежа, но принципиальные моменты описаны очень хорошо.

Единственный вопрос, который меня мучает: а может ли DRAM иметь, как flash, multi-level cell? Вроде да, но всё-таки…

Часть практическая

Flash

Те, кто пользуется флешками довольно давно, наверное, уже видели «голый» накопитель, без корпуса. Но я всё-таки кратко упомяну основные части USB-Flash-накопителя:

Основные элементы USB-Flash накопителя: 1. USB-коннектор, 2. контроллер, 3. PCB-многослойная печатная плата, 4. модуль NAND памяти, 5. кварцевый генератор опорной частоты, 6. LED-индикатор (сейчас, правда, на многих флешках его нет), 7. переключатель защиты от записи (аналогично, на многих флешках отсутствует), 8. место для дополнительной микросхемы памяти. Источник

Пойдём от простого к сложному. Кварцевый генератор (подробнее о принципе работы тут). К моему глубокому сожалению, за время полировки сама кварцевая пластинка исчезла, поэтому нам остаётся любоваться только корпусом.

Корпус кварцевого генератора

Случайно, между делом, нашёл-таки, как выглядит армирующее волокно внутри текстолита и шарики, из которых в массе своей и состоит текстолит. Кстати, а волокна всё-таки уложены со скруткой, это хорошо видно на верхнем изображении:

Армирующее волокно внутри текстолита (красными стрелками указаны волокна, перпендикулярные срезу), из которого и состоит основная масса текстолита

А вот и первая важная деталь флешки – контроллер:

Контроллер. Верхнее изображение получено объединением нескольких СЭМ-микрофотографий

Признаюсь честно, не совсем понял задумку инженеров, которые в самой заливке чипа поместили ещё какие-то дополнительные проводники. Может быть, это с точки зрения технологического процесса проще и дешевле сделать.

После обработки этой картинки я кричал: «Яяяяязь!» и бегал по комнате. Итак, Вашему вниманию представляет техпроцесс 500 нм во всей свой красе с отлично прорисованными границами стока, истока, управляющего затвора и даже контакты сохранились в относительной целостности:

«Язь!» микроэлектроники – техпроцесс 500 нм контроллера с прекрасно прорисованными отдельными стоками (Drain), истоками (Source) и управляющими затворами (Gate)

Теперь приступим к десерту – чипам памяти. Начнём с контактов, которые эту память в прямом смысле этого слова питают. Помимо основного (на рисунке самого «толстого» контакта) есть ещё и множество мелких. Кстати, «толстый»
Во-первых, полный список опубликованных статей на Хабре:

Во-вторых, помимо блога на HabraHabr, статьи и видеоматериалы можно читать и смотреть на Nanometer.ru, YouTube, а также Dirty.

В-третьих, если тебе, дорогой читатель, понравилась статья или ты хочешь простимулировать написание новых, то действуй согласно следующей максиме: «pay what you want»

«>
Обсуждение:Флеш-память — Википедия

Современные словари рекомендуют написание через Е. http://dic.gramota.ru/ Roxis 13:44, 27 апреля 2008 (UTC)

словарь - не догма, а лишь отображение живой речи и письменности. Многим привычнее через э, так, как произносится в английском flash. Слово flesh имеет совсем другое значение - плоть, мясо, тело.... Ds02006 06:30, 22 октября 2008 (UTC)
К сожалению, в русском языке чуть ли ни все иностранные слова пишутся не так, как на родине. А уж произносятся... вообще кому как хочется.--StrannikM 23:39, 2 декабря 2008 (UTC)
Вы, главное, определитесь и пишите одинаково. А то по тексту встречаются оба варианта.--95.72.47.186 09:36, 6 января 2009 (UTC)
Никому же не приходит в голову говорить "филе" вместо файла, или "USB-дриве" вместо USB-драйва. Так что я за флэш 83.149.3.149 21:58, 7 февраля 2009 (UTC)ылкшшь

Уважаемый Roxis, даже по приведённой Вами ссылке видно, что флеш — не то, что флэш. Там приведены значения из области ботаники, которые по-английски пишутся flesh и flush. А наш флэш по-английски пишется flash. В этом значении он в словаре «Грамоты.Ру» отсутствует, зато присутствует в словаре Lingvo Computers, Lingvo Mechanical Engineering, словаре по естественным наукам Глоссарий.Ру. --Kharitonov 14:03, 17 августа 2009 (UTC)
А если смотреть дальше, то видно: "флеш, -а, тв. -ем (короткая информация о событии)". А это уже flash. Roxis 15:18, 17 августа 2009 (UTC)
Да, моя ссылка на «Грамоту.Ру» несостоятельна. Но с учётом других словарей, да и a priori, не желательно ли различать в русской письменной речи столь разные понятия, происходящие от разных иностранных слов? --Kharitonov 15:55, 17 августа 2009 (UTC)

Вот и в Вики обосновались аглицкое разверстое мясо и полевое земляное укрепление времён наполеоновской войны. Кеп Очевидность также рекомендует впердь именовать себя "сЕр" или "мЕтр", назначить себя мЕром, устроить МЕтта Гроунинга бЕк-вокалистом к Ерику КлЕптону на Ебби-роуд... Всё, брЕк! Принимая во внимание, кем, как, когда и для чего составляются и переписываются академические словари, а тем более - даются рекомендации на gramota.ru, следует относиться к этим источникам в известной мере критично. Одно дело - корректор издательства "Учпедгиз", который за несоблюдение установленных словарных норм вылетит с работы, другое - Википедия, в которой место для здравого смысла и элементарной логики тоже оставлено. Boober the bird 04:52, 7 февраля 2011 (UTC)

Названия типов элементов всегда пишутся и произносятся как И-НЕ, ИЛИ-НЕ, И-ИЛИ-НЕ. Например: К155ЛР3 - логический элемент 2-2-2-3И-4ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ.

80.80.111.240 11:57, 7 июня 2008 (UTC)Prologik

Названия логических элементов пишутся в порядке выполнения логических операций.

Вы сделали неудачный выбор, приведя в пример микросхему К155ЛР3. Она имеет слишком сложную структуру для записиси простой формулой. У неё один вход инвертированный (см. http://www.chipinfo.ru/dsheets/ic/155/lr3.html). А потому эта формула неверна. К стати, и в рисунке ошибка. Тем не менее это косое описание кочует по всем сайтам. Записать конечно можно всё, что угодно. Вот только понять бы потом, что получилось...

Возьмём пример попроще: К155ЛА3 - 4 элемента 2И-НЕ. То есть, в каждом элементе сначала над двумя входами выполняется операция И, а затем, над тем, что получилось - операция НЕ. А если бы сначала выполнялась операция НЕ над входами, а затем И, то элемент назывался бы 2НЕ-И, что равносильно 2ИЛИ-НЕ.
Вообще-то, в статье так и не раскрыто, где там И-НЕ, а где ИЛИ-НЕ? Судя по скудному описанию, ячейка одна и та же, а разница только в подключении к цепям управления? Или я не прав?

--StrannikM 10:41, 15 декабря 2008 (UTC)
Прошу прощения. Не смотря на то, что всё выше изложенное справедливо.

Заглянул сегодня в ангийское описение и опять убедился, что у них всё делается через... то самое место. По-ихнему читать надо справа налево. Как и в почтовых адресах квартира - в начале, а страна - в конце. Т.е. по-нашему И-НЕ и ИЛИ-НЕ, а по-ихнему NOT-AND (NAND) и NOT-OR (NOR).
--StrannikM 09:03, 6 января 2009 (UTC)

С каких пор флеш память "энергозависимой перезаписываемой памяти"? ВП:НО текст изменён Иван 11:27, 10 декабря 2008 (UTC)Diff 07:26, 10 декабря 2008 (UTC)

В Википедии самообслуживание ;) --A.I. 09:47, 10 декабря 2008 (UTC)
Иерархия[править код]

В тексте: Память разбивается на блоки, блоки состоят из секторов, секторы из страниц. Правильно будет: Память разбивается на блоки, блоки состоят из страниц, страницы из секторов.--Evg71 17:52, 8 марта 2015 (UTC)

Блоки и сектора переставляют кто как хочет. Но вроде бы страницы у всех самая маленькая единица разбиения. Можно АИ на ваше утверждение? ASDFS 19:27, 8 марта 2015 (UTC)
Да, понятие "сектор" применительно к носителям информации - это минимальная "единица" информации, которую можно считать или записать. У NAND минимальная "единица" - страница. Поэтому правильнее будет: Память разбивается на блоки, блоки состоят из страниц. Во многих иностранных источниках страница=сектор. Изучив много даташитов на NAND (Samsung, Toshiba) вообще не нашел упоминания про сектора. Только блоки, состоящие из страниц. Предлагаю упоминание про сектора убрать совсем. Просто размер страницы NAND значительно больше размера секторов, которые используют операционные системы, поэтому сначала ошибся. --Evg71 05:22, 9 марта 2015 (UTC)

Сказанное вами - частный случай. Для старых НАНД действительно, глубина иерархии чаще всего была страница-блок. Для новых добавляют еще один уровень plane. Для НОР изначально иерархия была страница-сектор-блок. В общем можно сказать что это гуляющие названия, поэтому в тексте написано "например". Что касается "страница=сектор" то тут вы, по видимому, путаете страницы организации памяти и сектора файловой системы. Последняя к предмету статьи относится довольно косвенно. ASDFS 12:45, 10 марта 2015 (UTC)
Медленно но верно превращаемся в американцев…[править код]

К подписи под рисунком добавили в скобках про спичку. Это для особо одарённых что ли? Так скоро совсем в американцев превратимся — начнём писать инструкции по пользованию ложкой и т.п.--StrannikM 06:32, 9 февраля 2009 (UTC

это лучше, а то некоторые "шибко умные" статьи вообще нужно со словарём читать... Кому, спрашивается, такая энциклопедия нужна... Ярик 20:09, 23 февраля 2009 (UTC)

Memory Stick Micro (M2): Данный формат является конкурентом формата microSD (по аналогичному размеру), сохраняя преимущества карт памяти Sony.

А про преимущества ни слова. 94.240.164.177 18:07, 21 августа 2009 (UTC)

Не увидел описания причины ограниченности количества циклов записи[править код]

что там перегорает то? 92.124.84.158 01:13, 18 апреля 2010 (UTC)Денис

Невозможность индивидуально контролировать заряд плавающего затвора в каждой ячейке. Дело в том что запись производится толпой и автомат записи контролирует достаточность инжекции заряда по референсной ячейке или по средней температуре больницы. Постепенно заряд отдельных ячеек разбегается и в один прекрасный момент вылетает за допустимые границы которые может скомпенсировать инжекцией автомат записи. На ресурс в такой ситуации влияет степень идентичности ячеек (чем они одинаковее тем больше ресурс) и количество ячеек в одном блоке. Например раньше выпускали ЕЕПРОМ в которых запись велась даже по одному байту (8 ячеек) и гарантированный ресурс был миллионов 10. Ныне таким расточительством кремния не занимаются и потому больше ляма на рынке не найти. ASDFS 08:23, 12 июля 2011 (UTC)
Вот тут тоже нужно до конца разобраться по хорошему. 1М циклов характерны для ЭСППЗУ, в том числе за счет избыточного кодирования (да даже в основном) информации. Заметьте что в микроконтроллерах всегда наличиствует как память Flash - для хранения программ, так и память EEPROM для хранения данных. Например для всем известно МК Atmel ATMega 8 это следующие характеристики
High Endurance Non-volatile Memory segments – 8KBytes of In-System Self-programmable Flash program memory – 512Bytes EEPROM – Write/Erase Cycles: 10,000 Flash/100,000 EEPROM – Data retention: 20 years at 85C/100 years at 25C

То есть для флеш это 10тыс циклов, а для EEPROM это 100тыс. Заметьте время хранения тоже очень разное. Почему? 194.186.216.42 06:45, 28 июля 2016 (UTC)Прохожий.

Скорей всего потому что размер страниц разный. То есть Flash программ имеет гораздо больше ячеек на странице стирания-записи чем EEPROM. Также вполне возможно что лицензированная разработчиком микрика EEPROM сделана по более толстым топнормам чем флешь. ASDFS (обс) 16:21, 28 июля 2016 (UTC)

1. Откуда при записи туннелируют электроны, если на управляющем затворе положительный заряд (как на картинке)? Если с истока, то можно так и написать. 2. Написано, что при стирании на управляющий затвор подаётся "высокое отрицательное напряжение", а на рисунке написано "ноль".

Наблюдатель А 14:09, 21 сентября 2010 (UTC)

про "скорость работы - в этом ssd намного превосходят hdd" (с)Illythr 5 марта 2011 - плз ссылки/АИ. Tpyvvikky 03:38, 6 марта 2011 (UTC)

Во-первых, для удаления неподтверждённой АИ информации источники приводить не нужно. Во-вторых об этом ключевом свойстве твердотельных накопителей уже написано в статье SSD, да и полным-полно всяких обзоров, видео и флешек. --Illythr (Толк?) 09:06, 6 марта 2011 (UTC)
Нужно четко написать определение микросхем флеш-памяти[править код]

Нужно провести четкую грань между флеш-памятью и обычной ЕEPROM. Советские микросхемы выпуска начала 80-х годов К1601РР1, К1601РР3, относящиеся к микросхемам с электрическим стиранием, тоже имеют режим поблочного стирания. Мало того К1601РР1 вовсе не имеет режима стирания отдельной ячейки. А поэтому, если следовать нечеткому определению данному в статье, К1601РР1 является флеш-памятью появившейся до 1984 года. Тогда не понятно что же изобрел инженер компании Toshiba Фудзио Масуока в 1984 году, если такая же микросхема была в советском "Каталоге интегральных микросхем" выпущенном в 1983 году?
Мое определение: Флеш-память - ПЗУ с электрическим стиранием, содержащая кроме собственно ПЗУ автомат, позволяющий упростить внешний интерфейс, ускорить циклы обмена данными и спрятать специфические для ПЗУ вспомогательные операции.

не надо придумывать ерунду. Флеш от классической еепром отличается количеством проводников, подходящих к ячейке и структурой ячейки. У флеши один однозатворный (не считая плавающего затвора) транзистор, у еепром обычно два транзистора или один двухзатворный. Это, кстати, можно понять если прочесть еще и статью EEPROM. ASDFS (обс) 14:19, 22 сентября 2014 (UTC)
И не 1983 год а гораздо раньше 1978 год первая ЭППЗУ 558РР1 и 558РР11 (именуемая тогда 558РЕ1 и 558РЕ11) произведены на заводе "Восток" Новосибирск, который в середине 70-х начинает выпускать ППЗУ как с УФ так и с электрическим стиранием. ссылка на каталог http://www.155la3.ru/datafiles/k558re1_re11.pdf. И не придумывайте про кол-во затворов у транзисторов, это не относится к термину "ФЛЕШ" если говорить про Мацуоки эти транзисторы он как структуры именовал SAMOS (stacked-gate avalanche injection MOS) и собственно с их разработки и начал работу в TOSHIBA. Цитирую: «В 80-х годах никто не ожидал такого хода событий. Я имею в виду переворот в технологии хранения данных. Честно говоря, изобретение новой ячейки памяти стало побочным продуктом моих исследований технологии SAMOS памяти. Моя группа из четырех человек смогла создать новый тип ячейки. Первая микросхема имела 8 ячеек памяти. Это было сделано по причине того, что мы хотели провести дополнительную серию экспериментов по хранению данных в ячейках. К началу 1984 года мы имели чип с объемом 32 Кбайт с архитектурой NOR. Причем по эмпирическим подсчетам эта ячейка могла хранить информацию до 25 лет. Кстати, название Флэш для этой ячейки дал Шоджи Аризумми, от английского «Flash» - вспышка.
Как видите речь конкретно идет о архитектуре NOR, об ЯЧЕЙКЕ, а не о строении транзистора.
Опять же надо учесть что с 1978 года производились 558РЕ1 и 558РЕ11 на технологии pMOS, а вот с 1983 в это кагорте уже добавились ЭППЗУ 558РР2 и РР4 не с общим стиранием информации а по блочно. 194.186.216.42 08:53, 27 июля 2016 (UTC)Прохожий

Простите, но у вас каша в голове. NOR это не структура ячейки а метод объединения отдельных ячеек в матрицу. Слово Flash это торговая марка новой разновидности запоминающей ячейки EEPROM, которая схемотехнически отличается от старой количеством транзисторов в ячейке и проводников, подходящих к ячейке для управления ею. Транзисторы там везде одинаковые - ЛИЗМОП по советской терминологии. А вариантов полупроводниковых структур для построения этих транзисторов, ячеек и матриц придумано дофига и больше, в соответствии с прогрессом литографии и химии полупроводников, особенностями техпроцессов компании-изготовителя и фантазией ее разработчиков. ASDFS (обс) 10:16, 27 июля 2016 (UTC)
Простите но каша как раз у Вас в голове, нигде слово структура по отношению к NOR я не применял, будьте добры внимательно меня читать! Архитектура NOR - это мои слова, остальное цитирование Мацуоки! Точно одинаковые там везде транзисторы, уверены в этом? Может стоит почитать патенты на изготовление таких транзисторов, например чем транзисторы в РР1 отличаются от РР2, технология на месте не стояла и РР2 сменили РР1 и там есть чему отличаться. И пожалуйста не надо ЛИЗМОП путать с транзисторами это всего лишь лавинная инжекция заряда которая применялась как в УФ ПЗУ, так и ЭППЗУ. Но ключевым отличием является как раз то что лавинную инжекцию заряда было решено убрать из технологии ЭППЗУ и перейти к использованию туннельного эффекта, что позволило и время записи снизить и напряжения снизить и токи.
194.186.216.42 11:20, 27 июля 2016 (UTC)Прохожий

Ваш постулат о принципиальном различии между классической EEPROM и Flash в виде использования туннельной или лавинной инжекции услышан. Но требует авторитетных источников, подтверждающих, что лавинная инжекция типичный признак классической двухтранзисторной ячейки EEPROM, а туннельная - однотранзисторной, именуемой Flash. Приведенная вами цитата, как я понял, опровергает это предположение, говоря исключительно о структуре ячейки. Также замечу что УФ ПЗУ это разновидность ЭППЗУ. Видимо, вы вторые путаете с ЭСППЗУ. ASDFS (обс) 12:05, 27 июля 2016 (UTC)
Мммм... так и не так.
Терминология, ибо это важно: ЭСППЗУ - совершенно верно, для электрически стираемых. Литеру "С", согласен с Вами - я пропустил, виноват. УФ ПЗУ, а точнее ППЗУ с УФ стиранием разновидность ППЗУ, так как все ППЗУ электрически перепрограммируемые что с пережигаемыми перемычками, что с УФ стиранием, что с электрическим стиранием. Класс не перепрограммируемых (масочных) это просто ПЗУ.

Замечание по поводу различий флеш и ЭСППЗУ важное и разобраться необходимо, возможно что и различий то нет кроме приоритета Мацуоки. И так. Мацуоки говорит о том что название "флеш" у его коллеги Аризумми возникло для "ячейки и архитектуры NOR". Но... сам Аризумми, к сожалению цитату не могу дать, объясняет это ассоциацией с действием фотовспышки. То есть явно намекает на скорость записи, а это действительно так - 15мс у ячейки Мацуоки, у УФ ППЗУ 25мс. Но у УФ ППЗУ это абсолютно точно лавинная инжекция заряда. Какие физические принципы размещения заряда работают у Мацуоки? SAMOS (stacked-gate avalanche injection MOS) - это транзистор с многоуровневым затвором , с дополнительным затвором стирания. Ну может быть это как то может ускорить стирание, да, но запись? Сам Мацуоки опять же характеризует эту ячейку как более плотную чем ранее использовались, в большей степени упирая на время хранения информации в ней - около 25 лет. Цитирую "Хранение информации в памяти в течение длительного времени было необходимо для множества устройств, построенных на основе микропроцессоров, которые применялись как в бытовых так и в промышленных изделиях. Возможность длительного хранения информации в памяти, как раз и удовлетворяла ранее разработанная технология SAMOS памяти." Кроме всего прочего эти структуры SAMOS Мацуоки исследовал уже давно с 1980, а то и раньше и как побочный эффект получил выход на технологию называемую "flash". Цитирую "В 80-х годах никто не ожидал такого хода событий. Я имею в виду переворот в технологии хранения данных. Честно говоря, изобретение новой ячейки памяти стало побочным продуктом моих исследований технологии SAMOS памяти. Моя группа из четырех человек смогла создать новый тип ячейки." Называет ее технологий SAMOS памяти. Из его слов можно заключить что по технологи этой ячейки уже была какая то память и в ходе исследований он изобрел еще какую то новую ячейку памяти :). IMHO - не многозатворность позволила повысить скорость записи ячейки, а скорее всего Мацуоки добился тунелирования при записи как побочки и сделал это вперед Интел. Застрельщик этой ветки обсуждения совершенно правильно рассуждает в 1978 Интел демонстрирует прототип ЭСППЗУ (Джордж Перлегос), так же в 1978 году мы видим наличие такой памяти в каталоге ЦНИИ "Электроника". Вероятно (по поводу РЕ1 и РЕ11) запись осуществляется лавинной инжекцией (вероятно а если нет?), а вот стирание при помощи туннельного эффекта за это говорит и увеличенное количество циклов перезаписи до 10000 (прям как у Мацуоки). Однако патент 1984 года объясняет каким образом была увеличена надежность при переход к РР2, там уже туннельный эффект развивают для записи информации (http://patents.su/4-1159447-ehlement-pamyati-dlya-postoyannogo-zapominayushhego-ustrojjstva.html). Проблема только в том что в наших изделиях "туннелируют дырки" (в то время как электроны более подвижны) поэтому и времянки хуже чем у Мацуоки. Что характерно ЭСППЗУ развиваются с 1978 года дальше и Интелом при этом увеличиваются и кол-во циклов (до 10 в 5) и времена записи в том числе из за отказа от лавинной инжекции и переходе к использованию туннельного эффекта. Таким образом есть несколько версий почему флеш это не ЭСППЗУ:

1. Многоуровневый затвор ячейки SAMOS разработанный Мацуоки позволил увеличить скорость записи????? (очень интересно за счет чего) 2. Использование туннельного эффекта (вперед Интел точно, вперед ли CCCР????? ) в ячейки похожей на SAMOS для записи (тогда толщина оксида кремния плавающего затвора в районе 150А) 3. Доводкой Интелом до коммерческой технологии (за 8 лет!!!!) архитектуры NOR с ячейкой по прообразу SAMOS (полученной от TOSHIBA) и в качестве яркого PR хода применения слогана "Flash"

Склоняюсь к пункту 2 и 3. В этом случае уже Интел искусственно разделяет EEPROM и FLASH на сектора, флеш при этом отличается высоким временем хранения и большой плотностью информации на кв. площади кристалла, но вряд ли скоростными характеристиками подразумеваемыми Аризумми. 194.186.216.42 06:48, 28 июля 2016 (UTC)Прохожий.

Простите, но мне кажется вам стОило бы для начала прочесть хотя бы АИ статей по сабжам: EEPROM и Flash. ASDFS (обс) 16:30, 28 июля 2016 (UTC)
Ссылка со слова "фотолитография"[править код]

Хотел дать ссылку со слова фотолитография, но не нашел кнопки "Править". Страница защищена. Есть возможность сделать это? ALPINE 19:57, 20 сентября 2015 (UTC)

разновидности:

SLC NAND - с одноуровневыми ячейками

MLC NAND -

TLC NAND - с трёхбитовой ячейкой
- уточнить бы про это дело. --Tpyvvikky (обс) 14:31, 27 августа 2016 (UTC) .. ага, есть раздел

Число перезаписи для разных типов: SLC, MLC, TLC[править код]

В статье нет данных на количество перезаписи для TLC. Данные для обычных флешек есть на сайте Kingston [1]:

На время создания данного документа для флеш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) возможно до 3000 циклов записи на физический сектор, исходя из имеющегося процесса литографии (19нм и 20нм). Для флеш-памяти с одноуровневыми ячейками (SLC) возможно до 30000 циклов записи на физический сектор. Для флеш-памяти с трехуровневыми ячейками (TLC) возможно до 500 циклов записи на физический сектор. Литография кристаллов флеш-памяти играет ключевую роль в сроке службы ячейки, который уменьшается со снижением размера кристалла.

Также видим, что указанные в статье 100 000 для SLC и 10 000 для MLC в три раза превышают характеристики типичных в 2015 году бытовых устройств. Gavr301234 16:43, 14 октября 2015 (UTC)

Хорошая статья, как раз энциклопедическая - и по делу, и понятно для дилетанта. Только за одно глаз при беглом чтении зацепился:

Другая причина — взаимная диффузия атомов изолирующих и проводящих областей полупроводниковой структуры, ускоренная градиентом электрического поля в области кармана и периодическими электрическими пробоями изолятора при записи и стирании. Это приводит к размыванию границ и ухудшению качества изолятора, уменьшению времени хранения заряда.

Тогда как в описании принципа действия никакого пробоя нет. О чём речь? И, если речь о принципе работы полевого транзистора - не лучше ли всё же как-то либо избежать слова "пробой", либо сделать минимальное пояснение, хотя бы в скобках.
213.24.127.102 10:30, 8 ноября 2016 (UTC)MichaelMM

Там есть слова про изолированный карман (затвор). Он изолирован в прямом смысле этого слова, совсем. Как муха в янтаре, без всяких контактов. Чтобы изменить заряд на этом кармане - надо пропихнуть электроны через изолятор. По жизни такое пропихивание называется пробой изолятора. Если сочтете необходимым внести какие то уточнения в статью - сделайте сами, я не очень чувствую что в данном случае нужно. ASDFS (обс.) 12:54, 8 ноября 2016 (UTC)
Краткий экскурс в историю флэш-памяти / Habr
Многие современные технологии мы уже привыкли воспринимать как должное, не особо задумываясь, как они работают, что за ними стоит, какова история их развития. Касается это в том числе и компьютеров. Я уже писал об истории развития технологий хранения данных, наглядно показывающую эволюцию в этой отрасли. На этот раз я решил рассказать подробней про одну из технологий, активно используемых компанией LSI, про твердотельную, или SSD (Solid State Drive) память.

Используется она повсеместно, начиная с микросхемы, хранящей код BIOS компьютера (кто постарше — тот помнит вирус Win.CIH, выводивший компьютеры из строя, стирая содержимое этой микросхемы) и заканчивая ультрасовременными гибридными контроллерами RAID с функцией кэширования, такие как LSI Nytro, о которой мы рассказывали). Не говоря уже про разные внешние накопители, без которых, пожалуй, был бы невозможен прогресс современной техники: каким анахронизмом выглядят сейчас цифровые камеры Sony Mavica MVC-FD5 (и ряд других моделей), сохранявшие изображения на 3.5 дюймовые дискеты.
Начиналась история флэш-памяти еще в середине 20 века, именно тогда, в подразделении Arma корпорации American Bosch Arma, ученый-баллистик и пионер цифрового компьютинга Вэн Цинг Чоу (Wen Tsing Chow) работал над задачей улучшения блоков памяти координат бортового компьютера ракетной системы Atlas E/F. Разработанное им решение несколько лет являлось секретным, так как Атлас стоял на вооружении американского аналога РВСН, но позже технология была рассекречена, и технология, названая PROM (programmable read-only memory) получила широкое распространение.
Технология достаточно проста по своей сути: такая память представляет собой пересечение двух массивов проводников, образующих координатную сетку. В узлах этой сетки проводники замкнуты специальной перемычкой. Когда нужно определить значение ячейки по заданным координатам, достаточно проверить, проходит ли ток по пересечению нужных проводников. Наличие тока означает, что перемычка цела, и соответствует значению 1, обратная ситуация — кодирует 0. По-умолчанию все ячейки имели значение 1. Несложно догадаться, что программирование таких микросхем (называвшееся прожиганием) происходило очень просто: к тем ячейкам, где нужны были нули, подавалось высокое напряжение, испарявшее перемычку. Таким образом, получались микросхемы с возможностью одноразовой записи. На самом деле, «дозаписать» микросхему было возможно, но только в сторону стирания перемычек. Также в силу несовершенства технологий перемычка могла восстановиться, искажая значения. Для борьбы с изменением данных в обе стороны использовали контрольные суммы. Кроме того, к недостаткам микросхем такого типа относилась весьма маленькая емкость.
Но были у ППЗУ (русский перевод аббревиатуры) и достоинства: высокая скорость доступа к данным и устойчивость к электромагнитным импульсам, столь ценная для мест, где ядерные взрывы — не редкость.
Следующий шаг в технологиях постоянного хранения данных был сделан в недрах компании Intel. Исследуя дефекты микросхем, в которых затворы транзисторов оказались разрушенными, Довом Фроманом (Dov Frohman-Bentchkowsky) был изобретен новый тип памяти EPROM. Каждая ячейка такой памяти представляет собой полевой транзистор с двумя затворами: первый управляющий, второй — плавающий, который не имеет связи с другими элементами схемы. В роли изоляции выступает слой оксида кремния.
Для запоминания данных нужно выбрать нужные ячейки и подать на них более высокое напряжение, это позволит электронам за счет более высокой энергии пройти слой изоляции и аккумулироваться на затворе (этот эффект туннелирования носит название Фаулера — Нордгейма). После того, как управляющее напряжение снимается, электроны оказываются «заперты» на затворе, сохраняя информацию надолго. Главная проблема в этом случае — невозможность электрически стереть информацию. Для их стирания используют мощные ултрафиолетовые лампы, освещающие микросхему через специальное окошко из кварцевого стекла. Ультрафиолет вызывает ионизацию в изолирующем слое оксида, заряд утекает и данные оказываются стертыми.
Такие микросхемы использовались в роли микросхем БИОС в старых компьютерах. Окно стирания обычно заклеивалось наклейкой с логотипом производителя, чтобы защитить микросхему от самопроизвольного стирания под действием солнечного света. Такие микросхемы, например, использовались в компьютерах ZX Spectrum (русские варианты Поиск, Magic). Именно эти компьютеры (многие помнят скрипуче-модемный звук, издаваемый магнитофонными кассетами с записанными на них играми для этих ПК) стали для многих современных инженеров и специалистов первыми компьютерами, с которых начался их путь в IT.
В 1978 году, инженер компании Intel Джордж Перлегос (George Perlegos) представил микросхему Intel 2816, схожую по технологии с EPROM, но за счет более тонкого слоя изоляции, микросхема могла стирать свое содержимое без использования ультрафиолетового облучения. Это стало началом технологии ЭСППЗУ или по-английски EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory). Главными недостатками микросхем, выполненных по данной технологии являются ограниченное количество циклов записи (хотя современные чипы довели это количество где-то до миллиона) и самопроизвольное стирание данных (для нынешних микросхем промышленного класса, гарантируется хранение данных минимум 3 года).
Так как в микросхемах ЭСППЗУ для стирания нужно было создать электрическое поле большой напряженности в достаточно тонком слое диэлектрика, это привело к невозможности создания микросхем перезаписываемой памяти с высокой степенью компоновки. Это, в свою очередь, привело к развитию двух классов устройств: емких микросхем с однократной записью без возможности стирания и перезаписываемых микросхем более низкой емкости. Проблема была решена инженером компании Toshiba Фудзио Масуокой, название его открытию дал его коллега Сёдзи Ариидзуми, которому процесс стирания напомнил фотовспышку. Как не сложно догадаться, назвални они эти микросхемы flash-memory (флэш-память). Изобретение было представлено публике в 1984 году, а в 1988 — компания Intel представала коммерческие чипы памяти, построенные на принципе NOR-флеш, а в 1989 году компанией Toshiba была анонсирована NAND память.
В качестве элементов памяти, во флэш используются все те же полевые транзисторы с плавающим затвором, при этом для стирания и записи используется повышение напряжения, вызывающее уже знакомый нам эффект туннелирования. Главное отличие микросхем flash состоит в том, что чтение, запись и стирание осуществляются большими блоками, при этом блок записи по размерам не меньше блока чтения, а блок стирания — всегда больше чем блок записи. Этим обусловлена необходимость объединять ячейки памяти в иерархическую структуру, обычно: блоки — сектора — страницы.
Микросхемы, в которых одна ячейка хранит один бит информации стали называть Single-Level Cell или SLC, а их альтернативу, в которой каждая ячейка сохраняет два бита информации за счет возможности хранения 4 уровней заряда, стали называть Multi-Level Cell или MLC. Таким образом, MLC чипы получаются дешевле SLC, но работают медленней, и менее надежны. В последнее время можно увидеть также аббревиатуру eMLC (Enterprise class MLC). Обычно так обозначают устройства, имеющие повышенные по сравнению с MLC скоростные характеристики чтения-записи, а также увеличенный срок службы. Анализируя ценовые характеристики, современные eMLC стоят примерно в два раза дешевле и лишь незначительно уступают по скорости и надежности устройствам, построенным на базе SLC.
Основная разница между NOR и NAND состоит в компоновке микросхем. NOR использует классическую матрицу строк и столбцов, в пересечении которых находятся ячейки, NAND — трехмерный массив. В этом случае можно сильно увеличить площадь компоновки, но за это придется «платить» усложнением алгоритмов доступа к ячейкам. Отличаются и скорости доступа, так, например, для NOR скорость чтения составляет десятки наносекунд, для NAND — десятки микросекунд.
Основная область применения NOR — микросхемы небольшого объема, но с повышенными требованиями к надежности хранение: микросхемы начальной загрузки компьютеров, встраиваемая память однокристальных контроллеров и т.п. NAND — это традиционные хранилища данных максимального объема: карты памяти, SSD диски и так далее. В случаях использования NAND обычно применяется избыточность хранения данных и контрольные суммы для защиты от сбоев. Так же обычно микросхемы оснащаются «запасными» блоками, вступающими в работу взамен тех, что уже «износились».
Современные флэш-накопители не возможны без использования сервисных микросхем, управляющих хранением данных на чипах NAND. Эти микросхемы получили название FSP (Flash Storage Processor) или процессоры, управляющие хранением на флэш-памяти. Компания SandForce (ныне подразделение LSI), является лидером по производству такого класса микросхем. Интересно, что вычислительная мощность таких процессоров очень и очень высока. Современное поколение имеет в своем составе 2 ядра, имеет возможность защиты (с подсчетом проверочных сумм) данных, похожей на то, что мы обычно называем RAID 50/60 и управляет процессами сбора цифрового «мусора», следит за равномерным износом ячеек памяти, выполняет другие сервисные функции. С введением такого интеллектуального управления NAND-памятью, современные устройства имеют прогнозируемый срок службы и программируемую надежность. Имея статистические данные, очень легко сделать SSD, обладающий заданными параметрами производительности и надежности. Подобные сервисные микросхемы имеют длительные циклы разработки, и сейчас разрабатываются чипы, которые будут работать с микросхемами флэш-памяти, которые будут производиться только через 2-3 года.
Кстати, до сих пор можно встретить достаточно распространенное заблуждение, что при достижении предела по записи, устройства SSD умирают с потерей данных. Это не так. При достижении определённых лимитов по перезаписи, сначала администратору сервера высылаются предупреждения о скором окончании срока службы устройства, а при достижении критического порога, запись на устройство прекращается, а само устройство переходит в режим READ ONLY, только для чтения. Все современные контроллеры хранения умеют работать с этим функционалом SSD, а пользователям SSD всего лишь необходимо приобретать устройства, предназначенные для их класса задач. Если это сервер, то нужно покупать SSD промышленного уровня, предназначенные для работы в режиме 24x7, если это ноутбук или десктоп, подойдут и более дешевые устройства.
Итак, современные SSD или флэш-устройства представлены сегодня в форматах SD, USB-flash, SATA(SAS) SSD – в тех же 2.5’’ и 3.5’’ форм-факторах, что и жесткие диски HDD. В мире серверов набирает обороты PCIe-SSD – формат, когда SSD смонтированы на плате, подключаемой непосредственно в PCI-слот.
Nytro WarpDrive
Для кэширования и бездисковой загрузки SSD монтируются на платы RAID-контроллеров.
Nytro MegaRAID
Внешние системы хранения уже несколько лет предлагают в виде опции SSD вместо HDD. Кроме этого, есть и специальные внешние системы хранения данных на флэш-технологиях, например, Violin и Ramsan.
Вот краткий экскурс в историю флэш-памяти. «За бортом» осталось много интересных вопросов, начиная с современных файловых систем, разрабатываемых с учетом особенностей флэш-памяти, и заканчивая будущими разработками, обещающими массу интересного. Будем надеяться, что рассказ вам понравился, и мы еще вернемся к этой теме в будущем.
По материалам личного опыта, внутренних ресурсов компании LSI (SandForce), ресурсов How Staff Works, Википедии, курсов MIT.
Pci flash память что это – емкость флеш памяти. Что такое флеш память в телефоне

Современные технологии развиваются достаточно быстро, и то, что ещё вчера казалось верхом совершенства, сегодня нас совсем не устраивает. Это особенно относится к современным видам компьютерной памяти. Памяти постоянно не хватает или скорость носителя очень низкая, по современным меркам.
Флеш-память появилась относительно недавно, но имея много преимуществ достаточно серьёзно теснит другие виды памяти.

Флеш- память - это вид твёрдотельной энергонезависимой, перезаписываемой памяти. В отличии от жёсткого диска флешка имеет большую скорость чтения, которая может доходить до 100 Мб/с, очень маленький размер. Её можно легко транспортировать, так как она подключается через USB- порт.
Ею можно пользоваться как ОЗУ, но в отличии от ОЗУ, флеш-память хранит данные при отключенном питании, автономно.
Сегодня на рынке представлены флеш- носители объёмом от 256 мегабайт до 16 гигабайт. Но имеются носители и с большим объёмом.

К дополнительным функциям флеш- памяти можно отнести защиту от копирования, сканер отпечатков пальцев, модуль шифрования и многое другое. Так же если материнская плата поддерживает загрузку через USB- порт, то её можно использовать как загрузочное устройство.
К новым флеш- технологиям можно отнести UЗ. Этот носитель распознаётся компьютером как два диска, где на одном хранятся данные, а со второго происходит загрузка компьютера. Преимущества этой технологии очевидны, вы можете работать на любом компьютере.
Достаточно маленький размер, позволяет использовать этот вид памяти очень широко. Это и мобильные телефоны, фотоаппараты, видеокамеры, диктофоны и другое оборудование.
В описании технических характеристик любого мобильного устройства указывается тип флеш-памяти и не случайно, так как не все типы совместимы. Исходя их этого, надо выбирать достаточно распространенные на рынке флешки, чтобы не иметь проблем с каким-нибудь устройством.
Для некоторых типов флеш-карт существуют адаптеры, которые расширяют её возможности.
Существующие типы флеш-памяти
Современные флеш-карты можно разделить на шесть основных типов.
Первый и самый распространенный тип - это CompactFlash (CF) , имеется двух видов CF type I и CF type II. Имеет хорошую скорость, ёмкость и цену.
К недостаткам относят размер 42*36*4 мм. Является достаточно универсальным и используется во многих устройствах.
IBM Microdrive -дешёвая, но менее надёжная и потребляет больше обычного энергии, что и является причиной её ограниченности.
SmartMedia - тонкая и дешёвая, но не высокая защита от стирания.
Multimedia Card (MMC) - маленький размер (24x32x1,4мм), низкое энергопотребление, используется в миниатюрных устройствах. Недостаток - низкая скорость.
SecureDigital (SD) при сопастовимых размерах с Multimedia Card, имеет больший объём и скорость. Но дороже.
MemoryStick - имеет хорошую защиту информации, скорость, но не очень большую ёмкость.
Сегодня самыми распространёнными считаются CompactFlash и SD/MMC, но
кроме перечисленных карт, существуют и другие виды флеш-карт
Выбирать флеш-карту стоит исходя из своих потребностей, учитывая, что чем больше объём и скорость, тем дороже флеш- карта.

Возможно, многие обращали внимание при просмотре характеристик своего накопителя, что его емкость недотягивает до указанной производителем. Это касается не только емкости флешек, а всех цифровых носителей: жестких дисков и других в которых емкость измеряется Мегабайтами, Гигабайта и в последних устройствах Терабайтами.

В чем же здесь дело и не скрывается ли в этом обман? Так сложилось, что производители накопителей, в общем, то как и производители другой продукции хотят продать «конфетку» с красивой надписью (емкость) за меньшие деньги. Что бы победить в конкурентной борьбе. Но емкость которая указана на накопителе правдивая, но с одной стороны.

Так почему же у флешки емкостью 2 Гб реально только 1,86 Гб, а у 4 Гб только 3,72 Гб.

Ответ на этот вопрос следует из основ компьютерной техники, а именно: 1 килобайт содержит 1024 байта и так далее с мегабайтами, гигабайтами…

реальная емкость (http://www.ixbt.com/storage/flashdrives/svodka/size.shtml) незначительно отличается.

В итоге сделав простой расчет: 4 000 000 0000/1024/1024/1024 = 3,72; мы получаем цифру 3,72 Гб.

Для накопителей большей емкости абсолютное отклонение будет больше. Например, для жесткого диска емкость 1 Терабайт реальная емкость составит 931 Гб.

Кроме того полезная емкость накопителя зависит от выбранной файловой системы: FAT16, FAT32, NTFS. Носитель, отформатированный в разных системах будет иметь разную полезную емкость. Это связано с тем, что при форматировании диска на него записывается системная информация о нем и она, для разных ФС разная.

Ну и последнее. Есть такой феномен как китайская флешка: это когда в системный раздел флешки небольшой емкости умышленно вносит
Флэш-память — Традиция

Флеш-память (англ. Flash-Memory) — разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.
Она может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (обычно около 10 тысяч раз. Несмотря на то, что такое ограничение есть, 10 тысяч циклов перезаписи — это намного больше, чем способна выдержать дискета или CD-RW.
Не содержит подвижных частей, так что, в отличие от жёстких дисков, более надёжна и компактна.
Недостатком, по сравнению с жёсткими дисками, является большая цена при меньшем объёме. Так, для самых больших флеш-карт объём составляет около 64 Гб. Работа по устранению этого недостатка уже ведётся: компания Apple выпустила флеш-носители ёмкостью до 160 Гб. А в конце 2007 года компания Toshiba объявила о начале выпуска флеш-носителей объёмом до 256 Гб.
Благодаря своей компактности, дешевизне и низкой потребности в электроэнергии флеш-память широко используется в портативных устройствах, работающих на батарейках и аккумуляторах — цифровых фотокамерах и видеокамерах, цифровых диктофонах, MP3-плеерах, КПК, мобильных телефонах, а также смартфонах. Кроме того, она используется для хранения встроенного программного обеспечения в различных периферийных устройствах (маршрутизаторах, мини-АТС, коммуникаторах, принтерах, сканерах).

Принцип действия[править]
Программирование флеш-памяти Стирание флеш-памяти
Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называемых ячейками (англ. cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ. single-level cell, SLC), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multi-level cell, MLC) могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.

NOR[править]

В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИ‑НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.
Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Некоторые электроны туннелируют через слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут пребывать. Заряд на плавающем затворе изменяет "ширину" канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.
Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.
Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.
В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.

NAND[править]

В основе NAND типа лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Так же запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.
NAND и NOR архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

Флеш-память была изобретена Фудзи Масуока (Fujio Masuoka), когда он работал в Toshiba в 1984 году. Имя «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзи, Сёдзи Ариизуми (Shoji Ariizumi), потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния. Intel увидела большой потенциал в изобретении и в 1988 году выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.
NAND-тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference. У него была больше скорость записи и меньше площадь чипа.
Стандартизацией чипов флеш-памяти типа NAND занимается Open NAND Flash Interface Working Group (ONFI). Текущим стандартом считается спецификация ONFI версии 1.0^[1], выпущенная в 28 декабря 2006 года. Группа ONFI поддерживается крупнейшими производителями NAND чипов: Intel, Micron Technology и Sony.^[2]

Характеристики[править]

Скорость некоторых устройств с флеш-памятью может доходить до 100 Мб/с^[3]. В основном флеш-карты имеют большой разброс скоростей и обычно маркируются в скоростях стандартного CD-привода (150 Кб/с). Так указанная скорость в 100x означает 100 × 150 Кб/с = 15 000 Кб/с= 14.65 Мб/с.
В основном объём чипа флеш-памяти измеряется от килобайт до нескольких гигабайт.
В 2005 году Toshiba и SanDisk представили NAND чипы объёмом 1 Гб^[4], выполненные по технологии многоуровневых ячеек, где один транзистор может хранить несколько бит, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе.
Компания Samsung в сентябре 2006 года представила 8 Гб чип, выполненный по 40-нм технологическому процессу^[5]. В конце 2007 года Samsung сообщила о создании первого в мире MLC (multi-level cell) чипа флеш-памяти типа NAND, выполненного по 30-нм технологическому процессу. Ёмкость чипа также составляет 8 Гб. Ожидается, что в массовое производство чипы памяти поступят в 2009 году.
Для увеличения объёма в устройствах часто применяется массив из нескольких чипов. В основном на середину 2007 года USB устройства и карты памяти имеют объём от 512 Мб до 16 Гб. Самый большой объём USB устройств составляет 1 Тб.

Файловые системы[править]

Основное слабое место флеш-памяти — количество циклов перезаписи. Ситуация ухудшается также в связи с тем, что ОС часто записывает данные в одно и то же место. Например, часто обновляется таблица файловой системы, так что первые сектора памяти израсходуют свой запас значительно раньше. Распределение нагрузки позволяет существенно продлить срок работы памяти.
Для решения этой проблемы были созданы специальные файловые системы: exFAT для Microsoft Windows и JFFS2^[6] и YAFFS^[7] для GNU/Linux.
USB флеш-носители и карты памяти, такие как SecureDigital и CompactFlash имеют встроенный контроллер, который производит обнаружение и исправление ошибок и старается равномерно использовать ресурс перезаписи флеш-памяти. На таких устройствах не имеет смысла использовать специальную файловую систему и для лучшей совместимости применяется обычная FAT.
Флеш-карты разных типов (спичка отображена для оценки размеров)
Флеш-память наиболее известна применением в USB флеш-носителях (англ. USB flash drive). В основном применяется NAND тип памяти, которая подключается через USB по интерфейсу USB mass storage device (USB MSC). Данный интерфейс поддерживается всеми ОС современных версий.
Благодаря большой скорости, объёму и компактным размерам USB флеш-носители полностью вытеснили с рынка дискеты. Например, компания Dell с 2003 года перестала выпускать компьютеры с дисководом гибких дисков^[8].
В данный момент выпускается широкий ассортимент USB флеш-носителей, разных форм и цветов. На рынке присутствуют флешки с автоматическим шифрованием записываемых на них данных. Японская компания Solid Alliance даже выпускает флешки в виде еды^[9].
Есть специальные дистрибутивы GNU/Linux и версии программ, которые могут работать прямо с USB носителей, например, чтобы пользоваться своими приложениями в интернет-кафе.
Технология ReadyBoost в Windows Vista способна использовать USB-флеш носитель или специальную флеш-память, встроенную в компьютер, для увеличения быстродействия^[10]. На флеш-памяти так же основываются карты памяти, такие как SecureDigital (SD) и Memory Stick, которые активно применяются в портативной технике (фотоаппараты, мобильные телефоны). Вкупе с USB носителями флеш-память занимает большую часть рынка переносных носителей данных.
NOR тип памяти чаще применяется в BIOS и ROM-памяти устройств, таких как DSL модемы, маршрутизаторы и т. д. Флеш-память позволяет легко обновлять прошивку устройств, при этом скорость записи и объём для таких устройств не так важны.
Сейчас активно рассматривается возможность замены жёстких дисков на флеш‑память. В результате увеличится скорость включения компьютера, а отсутствие движущихся деталей увеличит срок службы. Например, в XO-1, «ноутбуке за 100$», который активно разрабатывается для стран третьего мира, вместо жёсткого диска будет использоваться флеш-память объёмом 1 Гб^[11]. Распространение ограничивает высокая цена за Гб и меньший срок годности, чем у жёстких дисков из-за ограниченного количества циклов записи.

Тип карты памяти[править]

Существуют несколько типов карт памяти, используемых в сотовых телефонах. MultiMediaCard (MMC): карточка в формате MMC имеет небольшой размер — 24х32х1,4 мм. Разработана совместно компаниями SanDisk и Siemens. MMC содержит контроллер памяти и обладает высокой совместимостью с устройствами самого различного типа.
Reduced-Size MultiMediaCard (RS-MMC): карта памяти, которая вдвое короче стандартной карты MMC. Ее размеры составляют 24x18x1,4 мм, а вес — около 6 г, все остальные характеристики не отличаются от MMC. Для обеспечения совместимости с существующим стандартом MMC при использовании карт RS-MMC нужен адаптер.
Secure Digital Card (SD Card): поддерживается фирмами SanDisk, Panasoniс и Toshiba. По размерам и характеристикам очень похож на MMC, только чуть толще. Основное отличие от MMC — технология защиты авторских прав: карта имеет криптозащиту от несанкционированного копирования, повышенную защиту информации от случайного стирания или разрушения.
Mini Secure Digital Card (miniSD): флэш-карты нового стандарта miniSD. От стандартных карт Secure Digital (32х24х2.1 мм) отличаются меньшими размерами 21.5х20х1.4 мм. Для обеспечения работы карты в устройствах, оснащенных обычным SD-слотом, предусмотрен адаптер.
Micro Secure Digital Card (microSD): карты памяти microSD являются суперкомпактными съемными устройствами флэш-памяти. Их размеры составляют 11х15х1 мм. Карты данного формата используются в первую очередь в мобильных телефонах, так как благодаря своей компактности позволяют существенно расширить память телефона, не увеличивая при этом его размеры. Карты microSD полностью совместимы с устройствами, работающими на TransFlash (T-Flash) картах. Предполагается, что формат TransFlash будет полностью вытеснен форматом microSD. Для обеспечения совместимости карт T-Flash и microSD с устройствами, поддерживающими стандарт SD, выпускаются специальные SD-адаптеры.
Memory Stick Duo: данный стандарт памяти разрабатывался и поддерживается компанией Sony. Корпус достаточно прочный. На данный момент — это самая дорогая память из всех представленных. Memory Stick Duo был разработан на базе широко распространенного стандарта Memory Stick от той же Sony, отличается малыми размерами (20х31х1.6 мм.).
DV-RS-MMC (Dual Voltage Reduced-Size MultiMediaCards): карты памяти DV-RS-MMC с двойным питанием (1,8 и 3,3 В) отличаются пониженным электропотреблением, что позволит работать мобильному телефону немного дольше. Размеры у этой карты совпадают с размерами RS-MMC, 24x18x1.4 мм.

Смотрите также

Поезд фпк что это такое

Карта водителя скзи что это такое расшифровка

Биомеханика что это такое

Правая па малого диаметра что это такое

Политравма что это такое

Слипы трусы женские что это такое

Оптимизация приложения что это такое

Чай мате что это такое свойства

Дейтерий что это такое

Тонические судороги что это такое

Мефедрон эффект и последствия что это такое